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为了提高半导体激光加工中激光光斑中心定位精度,根据皮秒超短脉冲激光辐照单晶硅后产生的光斑图像灰度分布特点,提出了一种基于灰度直方图的激光光斑中心定位算法,通过模拟激光光斑仿真分析和单晶硅刻蚀实验,对比研究了不同辐照时间与不同激光功率条件下该算法与传统算法的定位精度。结果表明,在辐照时间不同的条件下,该算法定位精度达到0.761μm,比灰度重心法提高51.3%,比最大行列灰度值法提高93.9%;在激光功率不同条件下,该算法的定位精度达到0.793μm,比灰度重心法提高73.4%,比最大行列灰度值法提高86.8%。此研究可为皮秒超短脉冲激光光斑中心定位控制系统的设计提供指导。 相似文献
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设计一个基于STM32F030单片机的3.2 V光伏MPPT控制系统,该系统以双向同步整流的BUCK-BOOST电路拓扑结构为基础,结合MPPT理论及电池充电优化策略,实现3.2 V光伏系统的MPPT充电及升压放电控制,实验证明该系统的可行性。 相似文献
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