关于当代西方建筑思潮的几点认识——谈建筑的理性与非理性设计

本文在收集大量资料的基础上,对当代西方建筑思潮 中普遍存在的理性思维和非理性思维进行了辩证分析,并提出 要正确理解和把握当代西方建筑设计中的非理性。     

基于GMR传感器的小体积二维电子罗盘设计

针对二维电子罗盘存在的体积、精度较难平衡等问题,对二维电子罗盘展开了研究。通过对硬件与算法的优化设计,提出了一种较为实用的解决方案。硬件上采用新型的二维GMR传感器感测磁场,使用C8051F350单片机自带的Δ-ΣA/D模块进行了信号调理,有效减少了信号调理器件,使用了针对GMR传感器优化的算法,在无干扰下可保证其具有较好的辨向精度,在有外部干扰的环境中,通过旋转校准,依然可以保证较高的精度。同时,将校准数据IAP到单片机Flash中,即使系统掉电也可以保证数据不丢失。经国防科技工业弱磁一级计量站的测试,其测试结果表明,该设备在无干扰情况下精度可达±2°,在强干扰下精度依然较高,具有较强的工程实用价值。     

广州古黄埔村现状考察与保护建议

本文在收集大量文献资料的基础上，对古黄埔村进行实地调查与研究，认真分析了古黄埔村的历史、人文及其现状，并提出了一些保护规划的建议与措施。     

掺铟钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷的制备及电学性能

采用固相反应法,制备了0.10BiInO3-(0.90-x)BiScO3-xPbTiO3(BISPTx,0.55≤x≤0.70)压电陶瓷,并对陶瓷样品的相结构,表面形貌和电性能进行了研究。结果表明,BiInO3和BiScO3-PbTiO3能够形成很好的固溶体,在1070℃烧结2h即可形成稳定钙钛矿结构的BISPTx陶瓷。当x=0.60时,BISPTx陶瓷具有优良的电学性能:d33=330pC/N,kp=0.423,tC=420℃。BiInO3的掺入可有效提高BISPTx陶瓷的tC,并提高其电阻率,降低漏导电流,使其在较高温度(300℃)下仍保持较低的tanδ(<0.05)。     

具有SAF结构的IrMn基自旋阀材料的磁场退火研究

用磁控溅射法制备了被钉扎层为反铁磁(SAF)结构(CoFe/Ru/CoFe)的IrMn基顶钉扎自旋阀材料, 分别采用HRTEM、AFM、XPS对材料的结构和成分进行表征。首先, 制备的自旋阀材料分别在200℃、245℃、255℃、265℃的真空条件(＜10^-5 Pa)下退火4 h, 发现经265℃退火, 自旋阀材料会发生明显的层间扩散, 从而引起磁电阻率的降低。在选择合适退火温度(245℃)的基础上, 研究了退火磁场对自旋阀材料磁电阻率的影响。在245℃的真空环境下, 沿着材料的钉扎方向分别施加大小为80、160、240、400、560 kA/m的磁场退火4 h。实验发现经过80和160 kA/m的磁场退火后, 材料的磁电阻率由退火前的8.80%分别下降到5.87%和6.31%; 经240 kA/m的磁场退火后材料的磁电阻率变为7.91%; 经400 kA/m的磁场退火后磁电阻率增大到9.89%; 经560 kA/m的磁场退火后磁电阻率进一步增大到10.79%, 比退火前增加了22.6%。     

论建筑施工图设计优化的原则及缺陷

建筑施工图的设计属于技术性以及专业性特征极突出的作业，因为施工图对于整个建筑工程来说，是非常重要的，其直接决定了工程走向、建设成本以及施工工期等，所以，提前对施工图的设计进行优化，有着非常大的价值。本文根据建筑工程的实践经验，从不同的角度对施工图的设计进行了优化，以期能为建筑行业的设计人员提供一定的借鉴。     

基于GMR传感器的三轴电子罗盘

针对现有大多数罗盘精度不高的问题,设计了一款基于新型巨磁阻(GMR)传感器芯片的三轴电子罗盘测量系统。该系统采用3个巨磁阻传感器芯片来测量地磁场矢量,采用三轴加速度传感器来测量载体的横滚角和俯仰角,在MSP430单片机中实现姿态转换、航向解算,最终通过RS232接口把航向角数据传输到电脑上。通过对影响罗盘测量精度误差来源的分析,提出了相应的自动校正和磁场补偿算法;在有外界磁场干扰的情况下,采用三维旋转校准,以保证罗盘能够达到较高的精度。研究结果表明,无论是否有外磁场干扰,罗盘经过校准补偿后精度都能够达到1.5°,从而验证了所设计的罗盘能够有效的对磁场干扰进行补偿。     

两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了 0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜.研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响.实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向.PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4 μC/cm2.     

宽测量间距巨磁阻齿轮转速传感器的研制

文中设计了一种宽测量间距齿轮转速传感器.所研制的齿轮转速传感器选用巨磁阻芯片作为敏感元件,永磁体提供偏置磁场,通过信号处理电路采集齿轮转动过程中所产生的磁场扰动信号实现齿轮转速的测量.采用有限元磁场仿真软件Ansoft Maxwell仿真了该齿轮转速传感器工作时,巨磁阻敏感芯片周围的磁场分布及变化情况,并通过实验验证了仿真数据的正确性.所研制的齿轮转速传感器不仅具有频率性能好,灵敏度高,体积小等优点,测量间距可超过4 mm,解决了传统转速传感器测量间距小的问题.     

GMR/TMR材料及相关自旋电子芯片研究

简要介绍了巨磁电阻材料和隧穿磁电阻材料的基本结构和性能,概述了自旋传感芯片、自旋磁电信号耦合芯片及存储芯片等几类相关自旋电子芯片的工作原理和器件性能,以及它们的应用前景。此外,也对在国内实现自旋电子芯片的产业化提出了自己的观点。