带有积分式测速装置的电子枪

本文介绍了E型电子枪加装测速装置的原理,讨论了实验中所能遇到的各种问题。实验表明该装置的探测极板寿命,可以达到石英振荡器极板寿命的一百倍到一千倍, 测速的重复性优于5％。     

MIS（Au－SiO_2－Si）隧道发光结

在研究一般ＭＩＭ（Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－Ａｕ）结的基础上，为了克服Ａｌ的不稳定性和改善结的性能，我们采用半导体材料Ｓｉ代替Ａｌ，研制成功ＭＩＳ（Ａｕ－ＳｉＯ２－Ｓｉ）隧道结，观察到了稳定的发光现象．介绍了ＭＩＳ结的基本结构和工艺流程，分析了结中ＳＰＰ的各个模式，讨论了结的发光光谱，阐明了ＭＩＳ结的发光机理．     

正电子湮没技术(PAT)的开发与应用(二)——进口正电子湮没寿命谱仪的改造与特性指标测定

扼要介绍了进口正电子湮没寿命谱仪的改造,以及谱仪的时间刻度、时间分辨率、计数率等指标的测定.     

正电子湮没技术(PAT)的开发与应用(五)——样品测试与正电子湮没寿命谱的解谱分析

一、正电子源和样品实验中所用正电子源为~(22)Na,~(22)Na的β~+衰变放出一个正电子,过3PS后放出1.28Me_v的γ射线,因为3PS相对于正电子寿命来说可以忽略,所以用1.28Mev的γ射线产生的时刻作为所研究事件的起始时间是合理的.正电子进入样品后的热化时间也只有几个PS,所以用1.28Mev和0.511Mev的两种γ射线间的时间间隔代表正电子湮没寿命也是合理的.由于~(22)Na有起始γ射线作为时间零点,加上~(22)Na的半衰期长,约为2.6年,使用方便,β~+衰变效率高,所以是理想的正电子源.本实验用的~(22)Na源,系用~(22)NaCl密封于几个μm厚的镍箔或密勒(Mylar)膜内,再将源夹于两个相同的样品之间,形成所谓的“夹层”排到.这样会有一部分正电子在镍箔或密勒膜中湮没,精确测量时,可在计算机程序中扣除~(22)Na源的载体效应.本实验源强为8μci.     

In_(0.53)Ga_(0.47)As三元外延层散射机制的研究(英文)

With method of Van Derberg,this paper gives the electron mobilities at different temperature in In0.53Ga0 .47As on InP by LPE, and analyses them from scatters of polaried optical phonons, ioned impurities and alloy. The results of the experiment and theory show that the scatter of ioned impurities and alloy scatter play an importment role at low temperature and the scatter of polaried optical phonon is superior at high temperature. It is also indicated that the alloy scatter is very, active for the ternary alloy density of about 1×1018cm-3. At last, we choose the optimal alloy potential △U= 0.83eV and give the limitation of Matthiessen rule.     

IEED—DAPS装置球面栅的制造

球面栅是低能电子衍射(LEED)和消隐电势谱(DAPS)等装置中的重要部件.本文叙述了我们LEED装置中的球面栅的初步研制结果.介绍了运用精密平面钨网制取球面栅的制造工艺和一些质量分析的初步结果.