可转位刀具三维快速设计方法

目前三维设计软件正在得到广泛地应用 ,但大部分都是用于新零件的直接造型。介绍了一种可以快速完成可转位刀具设计工作的方法 ,可以利用计算机程序和零件库 ,而不必对每个零件都重新造型 ;讨论了硬质合金刀片库的建立原理 ;进行了三维软件二次开发的研究 ;探讨了提高三维设计效率的途径     

复杂形状碳化硅陶瓷构件制备新工艺研究

用光固化快速成形技术制作复杂构件的负模,以酚醛树脂和淀粉的混合物填充负模,固化后在800℃高温下热解制成构件的碳支架,碳支架在真空炉中渗硅生成含有SiC/C/Si的陶瓷复合材料构件。统计分析了构件的收缩变形;用SEM及光学显微镜分析了制件的微观结构;研究了渗硅温度对材料抗弯强度的影响。结果表明：制件在各个方向的尺寸收缩率一致,大约为17％;碳支架含有由微孔和孔道组成的孔系,显气孔率越高,越利于渗硅反应;制件的抗弯强度随渗硅温度的升高而降低。应用该工艺制作了叶轮和叶片样件,所获制件形状和表面质量良好。     

基于快速成型技术的陶瓷叶片制造新工艺

提出了用快速成型技术解决复杂形状陶瓷零件的成形难题。用光固化树脂制造零件的凹模,注入酚醛树脂和淀粉的混合液,固化后热解形成碳支架,然后高温渗硅制成SiC复合材料陶瓷叶片。测定了叶片的成分;对叶片材料的微观结构进行了SEM分析。证明制成的叶片样件为SiC／C/Si组成的复合材料,这种工艺具有可行性。     

利用酚醛树脂制备复杂形状碳化硅复合材料零件

为了解决复杂形状陶瓷构件成型难的问题, 利用光固化快速成型技术, 以酚醛树脂为原料, 制作了陶瓷复合材料构件。用XRD 分析了炭支架和陶瓷构件的物相组成; 应用TGA 和SEM 研究了生成炭支架的热解特性、孔道系统和陶瓷构件的微观组织结构; 建立了渗硅的反应机理模型。结果表明: 炭支架主要为酚醛树脂热解后生成的无定形碳, 其残碳率为65 %; 渗硅温度为1500 ℃时生成的陶瓷构件是由Si 、SiC 和C 组成的致密复相陶瓷; 渗硅后如果温度升高至1650 ℃进行排Si , 则生成多孔复相陶瓷; 光固化树脂网格结构和淀粉结合生成的孔道系统, 能够有效避免制件的破裂并有利于渗硅反应; 在1500 ℃温度渗硅30 min 得到的SiC 层厚为20μm。      

孔道可控的酚醛树脂多孔碳支架的制备研究

利用光固化快速成型技术, 设计制作了有网格孔道结构的制件阴模, 制成了孔道结构可控的多孔碳支架. 用TGA研究了光固化树脂、酚醛树脂和淀粉的热分解行为; 用XRD、FTIR和SEM技术研究了碳支架的物相组成和微观结构; 用Archimedes法测定了热解碳的显气孔率和密度. 结果表明: 碳支架为非结晶性物质, 呈无定形乱层石墨结构, 随碳化温度的升高石墨化程度提高; 碳支架中仍含有微量的C-H键; 碳支架中的气孔相包括孔道、大孔(d=10～50μm)和微孔(d=1～3μm); 构造的孔道有利于避免碳支架的破裂.     

一种精密测量径向回转运动误差的方法

利用三点法圆度误差分离原理,分离出被测截面圆度误差和截面最小二乘圆心的运动误差,在此基础上揭示了回转轴纯回转运动误差与工件最小二乘圆心初始位置之间的关系.利用这种关系及三角函数的正交性,推导出了分离纯回转运动误差的数学表达式.试验结果表明,本文所述方法可以实现回转轴径向回转运动误差的精密测量.     

薄膜卡盘的CAD系统

本文介绍了加工齿轮所用的薄膜卡盘的计算机辅助设计系统，该系统采用了参数化作图方法并且采用ＡＤＳ接口将运算控制程序与ＡｕｔｏＣＡＤ图形相连接，使得设计人员简单地输入齿轮的主要参数，就能够自动生成薄膜卡盘完整装配图和零件图，极大地提高了设计效率，此外，本文还介绍了一种参数化作图系统－－集成ＣＡＤ中的参数化设计系统（ＰＤＡ）。     

基于Solidworks的可转位刀具实体图库的建立

简要叙述了运用三维设计软件Solidworks建立可转位刀具3D图形库的方法,为提高刀具的设计效率和可靠性提供了一个较好的途径。     

油路块三维反模校验方法

介绍了一种在AutoCAD系统下建立油路块的三维反模，从而对油路块的设计进行校验的方法。该方法直观清楚、简单实用，解决了内部复杂油路通道设计容易出错，制造前期不易发现错误的难题。     

光固化原型热解制备陶瓷构件碳支架的反应机理

提出一种基于光固化快速成形技术的制造复杂形状碳化硅陶瓷构件的新工艺.设计制造构件的光固化原型,在真空炉中以20℃/min的升温速度加热到800℃,并保温30 min将其热解得到碳支架材料.利用热解/红外光谱联用分析仪分析光固化树脂热解过程中逸出气体的成分;用能谱和红外光谱分析热解残留物的元素成分和官能团,并用扫描电镜表征残留物的显微结构;用Archimedes法测定热解碳的气孔率.根据分析结果可以推定,热解过程为缩聚反应,在此过程中逸出小分子烷烃、CO2和醛类挥发分,残留物为多孔碳并含有少量氢和氧元素.碳支架的气孔率达到42%,随升温速度加快而增加.光固化原型的热解碳残留率为10%,碳支架的弯曲强度达到22MPa,可以满足后续渗硅工艺的要求.