IMA深度剖面图的研究热退火对硅中注入硼分布的影响

作者作过一些在si表面注入的B的定量深度剖面图。所得结果与W.H.Christie和C.W.White等人的不同。我们的结果表明,样品在900～1000℃退火30分钟后,B的分布发生了明显的变化。本文中作为例子,给出了一个实验结果,说明其实验条件,以便进一步讨论。     

SIMS中二次离子离化率补偿法——硅中硼的定量分析

1.引言二次离子质谱分析法(SIMS)不但灵敏度高,而且可以测定特征元素的深度分布,这是其它类似装置所没有的。目前这种分析法在半导体材料领域里得到了广泛的应用。但是这种分析方法在绝对定量方面存在困难。目前SIMS正在研究的实用定量分析方法有三种:(1)曲线法;(2)热力学解析法和(3)MISR(Matrix Ion Species Ratio)方     

IMA离化率补偿曲线及定量深度分析

近来,IMA中发展了一种高精度定量分析方法,即离化率补偿曲线法。本文以Si(B)样品为例,给出了在低氧区的离化率补偿曲线((K_B)/(K_(Si))-(I_(SiO~ ))/((I_(TSiO)))/(I_(Si~ ))/(I_(TSi)))并提出一种高精度定量测定表层深度剖面图的方法。