某型地面雷达可靠性设计方法研究

雷达的可靠性水平直接影响着产品的质量．针对某远程相控阵地面雷达的特殊应用条件,基于地面雷达常规可靠性设计方法,结合理论分析,采用了电磁兼容设计、热设计、“三防”设计等特殊的可靠性设计方法,有效地提高了该雷达的可靠性水平,对其他型号地面雷达的可靠性设计具有一定的指导作用和参考价值．     

锚杆锚索联合支护技术在薄煤层复合顶板回采巷道的应用

本文分析薄煤层工作面回采巷道围岩赋存特点总结变形破坏规律,浅析薄煤层复合顶板回采巷道的支护机理,由巷道支护参数的确定锚杆、锚索联合支护的技术方案,通过理论与实践研究,锚杆锚索联合支护技术支护效果良好,最大限度地保持了巷道围岩的完整性。     

一种新型CMOS电流反馈运算放大器的分析与设计

通过加入对电源电压不灵敏的基准源产生偏置电流,采用MOS管产生的电阻和MOS管电容串联的补偿结构,消除补偿电容带来的零点;并在输出端采用电阻反馈,降低了输出电阻,增强了带负载能力.在1.5 V电压下,偏置约为1 μA.基于BSM3 0.5 μm CMOS工艺,对电路进行了PSPICE仿真.负载为20 pF时,该电路获得了87 dB的开环增益,353 MHz的单位增益带宽,61°的相位裕度和132 dB的共模抑制比,功耗为1.24 mW.     

MEMS magnetic field sensor based on silicon bridge structure

A MEMS piezoresistive magnetic field sensor based on a silicon bridge structure has been simulated and tested.The sensor consists of a silicon sensitivity diaphragm embedded with a piezoresistive Wheatstone bridge,and a ferromagnetic magnet adhered to the sensitivity diaphragm.When the sensor is subjected to an external magnetic field, the magnetic force bends the silicon sensitivity diaphragm,producing stress and resistors change of the Wheatstone bridge and the output voltage of the sensor.Good agreeme...     

低压低功耗CMOS电流反馈运算放大器的设计

通过在输出级采用电阻反馈,以增强负载驱动能力,采用隔离补偿电容,以消除低频零点等方式,设计了一种性能较高的CMOS电流反馈运算放大器。在1.5 V电源电压下,当偏置电流为1μA,负载电容为80 pF时,采用BSM3 0.5μm CMOS工艺进行HSPICE仿真。结果表明,该电路结构达到了76 dB的开环增益、312 MHz单位增益带宽、62°相位裕度,139 dB共模抑制比,功耗仅为0.73 mW。     

联机检修结构可靠性模型在雷达设计中的应用

联机检修可靠性模型能够充分地发挥冗余结构的潜力,大幅度地提高冗余结构的任务可靠性。为了验证联机检修模型在工程中的应用,结合某军航雷达的设计,对该模型进行了详细的论证;通过在该军航雷达中采用联机检修模型而大大提高了整机的任务可靠性,实现了总体单位的研制任务书要求,对其他型号地面雷达的可靠性设计起到一定的指导作用。     

一种AB类输出的高精度CMOS正向电流传输器

基于CSMC 0.5 μm工艺,在两级CMOS运放的基础上,设计了一种结构简单、电压跟随能力强和电流传输精度高的第二代正向电流传输器(CCII ).设计中,通过采用AB类推挽输出方式,达到了降低静态功耗和提高电流驱动能力的目的;应用密勒电容与调零电阻串联的补偿方式,有效地改善了CCII 的频率响应特性;分析了AB输出级晶体管对静态电流的影响.HSPICE仿真结果表明,在1.5 V供电电压下,该CCII 的电压跟随误差仅为0.0534 dB,-3 dB带宽达到201 MHz;电流传输误差为0 dB,-3 dB带宽达到54.4 MHz,X端输入电阻低于0.57 Ω,电流驱动能力为-0.2～1.2 mA,电路功耗为2.54 mW.     

基于硅桥的新型甲醛气体传感器的研究

提出了一种基于高分子薄膜溶胀效应的新型MEMS压阻式甲醛气体传感器,其结构由嵌入惠斯通电桥的硅桥和一层改性丙烯酸酯气敏薄膜构成,敏感薄膜因吸收甲醛气体发生溶胀使硅桥上的惠斯通电桥产生输出电压,从而实现对甲醛气体的检测.基于弹性力学薄板原理构建了该气体传感器中硅桥与改性丙烯酸酯薄膜相互作用的模型,并推导出传感器的输出公式.实验结果验证了理论分析模型,实验结果表明该传感器有很好的线性,选择性.实验测得该传感器灵敏度为0.975×106ecr,分辨率为10×10-6,响应时间和恢复时间分别为50s和65s.该传感器结构简单、无须加热,工艺成熟、成本低,应用MEMS 工艺技术可实现与信号处理电路的集成.     

基于硅桥结构的MEMS磁场传感器

提出了一种基于硅桥结构的MEMS磁场传感器结构。其结构由制作在硅桥敏感膜表面的惠斯通电桥和在膜中间沾上铁磁体制成。当传感器处于磁场中时,铁磁体在外磁场中磁化产生磁力,磁力会使硅敏感膜弯曲从而引起压阻改变进而使惠斯通电桥产生电压输出以达到测量磁场的目的。文章通过有限元软件仿真对铁磁体的尺寸进行了优化。实验结果和理论结果较接近。实验测得该传感器最大灵敏度为48mV/T,分辨率为160μT,该传感器可以用来进行强磁场的测量。实验结果结果表明:传感器的重复性和动态响应时间分别约为0.66%和150ms。     

恒定跨导Rail-to-Rail CMOS运放设计

设计了一种新型的低电压低功耗且跨导恒定的Rail-to-Rail CMOS运算放大器,输入级采用改进的最大电流选择电路结构,输出级采用推挽输出结构,其输入输出摆幅均为Rail-to-Rail,工作电压为±1.5V.整个电路采用BSM30.5μm CMOS工艺模型参数进行了HSPICE仿真,静态功耗仅为0.5mW,当电路驱动20pF的电容负载时,电路的直流增益达到78dB,单位增益带宽达到470MHz,相位裕度为59°.