基于VisualC＋＋的数控软件的设计

基于Window下的CNC是数控技术发展的必然趋势，提出了运用面向对象的思想来实现多任务处理的方法，并介绍了数控软件的体系结构和实现的相关技术。     

基于热加工图的中碳钢加工性能分析

以LZ50钢为研究对象,分析了其热压缩应力应变曲线。运用线性回归方法建立了峰值应力应变、临界应力应变、稳态应力应变及材料发生最大软化时应力应变的数学模型。绘制了不同应变下LZ50钢的热加工图以预测锻造过程中组织演变行为,指导生产加工。结果表明,加工硬化率随温度降低或应变速率增加而升高。构建了基于Prasad准则、Murty准则及Poletti准则3种不同失稳判据下的热加工图,通过对比分析得出依据Murty准则的热加工图最适宜预测LZ50钢成形过程中的组织演变。研究发现高温高应变速率区域并没有明显组织缺陷,为"伪失稳区"。最适合LZ50钢锻造的区域为中等温度、中等应变速率区,如1 020℃、0.5s-1,该条件下锻后组织均匀,晶粒呈等轴状。     

基于UG的汽车模型虚拟设计

三维模型虚拟设计是机械设计的必然趋势，阐述了三维设计软件UG在生成汽车的各部件中的应用，实现了UG环境下三维汽车模型虚拟装配过程，实践证明，采用UG软件可以把机械设计从“二维平面”设计引入到“三维世界”。     

基于Visual C++的数控软件的设计

基于 Windows下的 CNC是数控技术发展的必然趋势。提出了运用面向对象的思想来实现多任务处理的方法 ,并介绍了数控软件的体系结构和实现的相关技术。     

基于ANSYS Workbench的冷敲机花键轴模态分析

花键轴是花键冷敲机分度机构与滚打机构的连接轴,是冷敲机微量进给系统的重要部件。以花键冷敲机的花键轴作为研究对象,采用SolidWorks对其进行建模,并利用ANSYS Workbench对其进行模态分析。提取前5阶固有频率以及与之相对应的振型,通过对振型图进行分析,发现了花键轴振幅较大的问题,并设计出减小花键轴振幅的装置。对花键轴的不同位置施加约束,并进行模拟分析,得出其固有频率的变化规律,说明采用浮动的约束装置对花键轴有振动补偿控制作用,改善了花键轴的刚性和设备运转的稳定性,大大提高了生产效率和花键的机械性能。     

4kJ液气棒料精密剪切机液压系统设计研究

介绍了4kJ液气棒料精密剪切机液压系统参数设计、原理图绘制、液压集成块CAD设计的原理和方法。     

基于铸辗复合成形的25Mn钢法兰热处理工艺的试验研究

以铸辗复合成形的25Mn钢法兰为研究对象,研究热处理工艺参数对25Mn钢法兰微观组织及力学性能的影响;通过扫描电镜观察分析,揭示25Mn钢法兰件经不同回火温度处理后拉伸与冲击断口的断裂机理。试验结果表明,辗扩后法兰件内存在残余应力,组织不均匀,拉伸与冲击断裂形式主要为准解理和脆性断裂。在220~660℃回火时,晶粒得到细化,组织均匀;低温回火后,断口形貌为河流状花样和撕裂棱,韧窝少而浅,断裂形式为剪切和解理断裂;且随着回火温度的升高,强度总体呈下降趋势;经620℃回火析出细粒状碳化物,塑性达到峰值,伸长率和断面收缩率分别约为29%和65.32%,此时韧窝密度大,深度变深,冲击吸收能量最大(约103 J),塑韧性最好。回火温度大于620℃,碳化物发生球化,塑韧性降低。为获得优良的综合力学性能,制定25Mn钢法兰的最佳热处理工艺为880℃淬火保温2 h,在10%NaCl水溶液中冷却后620℃回火10 h。     

基于铸辗复合成形的42CrMo钢稳态变形参数的确定

通过热压缩试验获得42CrMo钢铸坯的流变应力,以动态材料模型和Prasad's失稳准则为基础,建立不同变形量下42CrMo钢铸坯的功率耗散图、失稳图及加工图,分析其热变形过程并确定稳态变形参数。研究得出了变形失稳区在高应变速率(大于0.35 s^-1)时出现,且随应变速率的增加和变形量的增大,失稳区域变宽。变形温度850~1150 ℃、应变速率0.05~0.35 s^-1为稳态变形区域。功率耗散效率的峰值35%出现在1100 ℃/0.05 s^-1处,被认为是最佳变形工艺参数。     

环件铸辗复合成形工艺中毛坯尺寸的确定方法

毛坯尺寸设计作为大型环件径轴向辗扩工艺中的重要环节,直接影响着辗扩过程的稳定实现及工件的成形质量.本文对环件铸辗复合成形新工艺中毛坯尺寸的确定进行了研究,获得了辗扩比、毛坯内径分别与环件锻件内径的关系;结果表明：通过给定任一环件尺寸,该方法能快速而准确地获得辗扩比的值和毛坯内径的值,具有设计效率高、准确可靠的优点,在适用于大型特大型环件的生产方面优势明显;同时,本文的设计方法为环件铸辗复合成形新工艺中辗扩过程的稳定实现及辗扩工艺参数的优化设计提供了科学合理的依据.     

化学机械抛光中Si/Cu/Ta/low-k界面剥离和断裂特性研究

超大规模集成电路随着布线层数增加和线宽的缩小,low-k材料的介电常数进一步降低,多孔low-k材料力学性能随之降低,使得晶圆在化学机械抛光(Chemical mechanical polishing,CMP)中面临的主要问题是Cu/Ta/low-k或者超低k材料的界面剥离。针对Si/Cu/Ta/low-k在CMP过程中的承载特性,建立单层布线和多层布线体系的界面力学模型,采用断裂力学理论和有限元法研究Si/Cu/Ta/low-k界面在CMP过程中界面的应力分布规律和界面裂纹的断裂强度。采用能量释放率来描述裂纹的扩展情况,根据界面裂纹能量释放率数值计算方法对裂纹长度、材料性质及不同的布线层数对裂纹扩展时的界面断裂/剥离特性进行仿真分析,得到界面应力分布、能量释放率、相位角与裂纹长度、材料性能、布线层数之间的关系变化曲线。结果表明:随着low-k力学性能降低和布线层数增加,裂纹能量释放率升高,界面裂纹更容易扩展。