SIMS中二次离子离化率补偿法——硅中硼的定量分析

1.引言二次离子质谱分析法(SIMS)不但灵敏度高,而且可以测定特征元素的深度分布,这是其它类似装置所没有的。目前这种分析法在半导体材料领域里得到了广泛的应用。但是这种分析方法在绝对定量方面存在困难。目前SIMS正在研究的实用定量分析方法有三种:(1)曲线法;(2)热力学解析法和(3)MISR(Matrix Ion Species Ratio)方     

清洗质量在线检测的可行性试验

在集成电路的产生过程中,清洗工艺是很重要的.清洗的好坏直接影响生产的成败,所以生产中迫切需要有检测清洗质量的方法.可惜至今没有直接检测清洗后硅片质量的手段.近年来,表面分析技术,特别是SIMS、AES分析技术的进展,促进了这方面的研究,但都没有能达到实用的程度.一些文献中只是报告了不同清洗液、不同清洗工艺清洗后硅片表面洁净度的相对比较,没有达到检出使用同种清洗液、同种清洗工艺的正常生产中,由于操作过程中的微小差异所造成的清洗质量的微小波动.只有检测出这种波动,分析技术     

离子探针分析绝缘固体技术

离子探针是在探针技术和质谱仪的基础上发展起来的较为新型的仪器。它可以分析所有固体且样品制备简单,检测灵敏度高(PPm—PPb 范围内),可进行薄表面层的分析、深度分析和微区分析。这些性能在许多科研和生产领域中是极为可贵和必不可少的。本文利用离子探针分析了各种形状的绝     

用离子探针分析感光层与明胶层中的微量金属元素

<正> 1.引言离子探针近年来已逐步被人们所熟悉,它是在电子探针和双聚焦质谱仪的基础上发展起来的较为新型的仪器。它和电子探针一样,能作微区分析及毫微米的表面分析,又其有双聚焦质谱议的高灵敏度和轻元素的分析(周期表中所有元素)的优点。其特点归纳如下:可以分析所有的固体;样品制备十分简单;检测灵敏度高(可达 ppm—ppb 级);薄表面的分析;深度分析;微区分析。