加强速写和默写画练习培养学生的美术创作能力

在抓好基本功训练的同时,加强速写和默写练习,是提高学生的记忆力和想象能力的重要环节.     

用新角度凝望中式尊贵

海口鸿洲埃德瑞皇家园林酒店为改扩建项目,原建筑为仿古建筑风格,设计有客房、餐饮、娱乐、员工后勤服务区等功能,新建筑采用现代古建风格,扩建部分会议、客房、入口接待厅等功能。室内设计通过现代手法充分诠释了中国传统皇室的尊贵气质。将     

压阻式小量程SOI压力敏感结构仿真分析

针对小量程MEMS压力传感器存在提高灵敏度与降低非线性相互制约的问题,利用板壳理论对小量程压力敏感结构进行了仿真分析,给出了兼顾这两个相互制约技术指标的设计方法。基于SOI技术设计了小量程压力敏感结构,通过感压膜片断裂前与衬底适当接触可使其过载能力得到有效提高。仿真结果表明,所设计的量程为5 kPa的压力敏感芯片,其过载压力达到1 MPa,1 mA恒流源供电条件下,满量程输出为43.2 mV。     

浅析电力市场的特点与组合策略

电力系统是我国经济发展的重要一部分,和传统的电力市场经济体制相比,现在的电力企业经济体制已经由原来的卖方转变为买方;从原来的限制客户用电的经营模式转变为现在的引导客户合理用电,满足客户的各项用电需求,这种电力营销模式的转换体现出电力企业营销体制的改革.在企业发展的进程中,也展现了其一定的特点和策略,本文分析了电力营销的基本特点和组合策略,以供借鉴.     

结合注意力和改进样本选取方法的少样本高光谱分类孪生网络

针对高光谱图像(hyperspectral image)样本人工标记困难导致的样本数量不足的问题, 本文提出了一个结合注意力和空间邻域的少样本孪生网络算法. 它首先对高光谱图像进行PCA预处理, 实现数据降维; 其次, 对模型训练样本采用间隔采样和边缘采样的方式进行选取, 以有效减少冗余信息; 之后, Siamese network以大小不同的patch形式进行两两结合, 构建出样本对作为训练集进行训练, 不仅实现了数据增强的效果, 还能在提取光谱信息特征的同时, 充分提取目标像素光谱信息以及其周围邻域空间信息; 最后, 添加光谱维度的注意力模块以及空间维度的相似度度量模块, 分别对光谱信息和空间邻域信息进行权重分布, 以达到提升分类性能的目的. 实验结果表明, 本文提出的方法在部分公开数据集上对比常用方法取得了较好的实验效果.     

压阻式小量程SOI加速度敏感芯片设计与分析

为满足建筑物振动监测等应用对小加速度信号测量的需求,采用带有微梁和支撑梁的敏感结构设计了一种压阻式小量程加速度传感器芯片,为弥补压阻式传感器测量小信号精度低这一不足,基于SOI技术设计了单晶硅应变电阻。利用有限元法对敏感芯片结构进行了仿真分析,给出了兼顾灵敏度与固有频率这两个技术指标的设计方法,以此确定了敏感芯片的尺寸参数,并分析了结构的响应特性。仿真结果表明,所设计量程为0.1g的加速度敏感芯片,其满量程输出约为34 mV,固有频率约264.3 Hz,交叉耦合为1.4%,过载可达87倍量程。     

高g值加速度敏感芯片性能优化的结构分析

随着微机电系统(MEMS)技术的发展,出现了高g值加速度敏感芯片,但因所受惯性力巨大,其综合性能难以提升,特别是过载和交叉耦合问题尤为突出。利用有限元法对带有微梁的高g值加速度敏感结构进行了仿真分析,给出了结构优化的设计方法,在保证灵敏度的同时,显著提高芯片固有频率和抗过载能力。在芯片的质量块与边框连接处设计了具有补偿作用的凹槽,有效减小了敏感芯片的交叉耦合。所设计量程为105g的敏感芯片满量程输出约为21.42 m V,固有频率约1.025 MHz,交叉耦合约4.24%,过载可达6.5倍量程以上。     

联动薄膜电容式压力传感器的特性分析与制备北大核心CSCD

工业领域中,目前研发的高精度MEMS压力传感器大多基于接触电容式结构,这种结构虽然一定程度上改善了普通电容式压力传感器的非线性问题,但其线性响应范围较小,限制了应用与开发,线性度也需要进一步提高。文中采用联动膜电容式压力敏感结构对其进行了研究与制作。基于有限元方法对压力敏感结构的响应特性进行了分析,仿真结果表明,该结构在增加线性响应范围和提高线性度方面表现出显著优势。试制了量程为100 kPa的样品芯片,测试结果表明,在25~100 kPa的压力范围内,样品芯片的灵敏度达到0.058 pF/kPa,其非线性度为4.83%FS。     

高固有频率压阻加速度敏感芯片的结构与特性分析北大核心CSCD

在悬臂梁-质量块MEMS加速度敏感结构的基础上,为提高其固有频率,拓展其应用领域,提出了一种带有直拉直压微梁的新型压阻式加速度敏感芯片,通过在结构中引入敏感微梁,达到均衡提高固有频率和灵敏度的目的。使用有限元法对结构的特性进行了仿真分析,结果表明该结构和普通MEMS加速度敏感结构相比,在保证较高灵敏度及良好线性输出的前提下,显著提高了固有频率,可达其87倍以上,同时改善了过载能力,可提高6倍以上。