提升红外焦平面探测器杜瓦组件的贮存寿命

杜瓦内真空度退化和芯片盲元增加是影响红外焦平面探测器杜瓦组件贮存寿命的两大方面。杜瓦组件的排气策略直接关系到红外红外探测器杜瓦的真空寿命和红外芯片的贮存寿命,是影响红外探测器杜瓦组件可靠性的关键。本文以杜瓦放气率测试技术为依托,结合杜瓦组件在贮存环境下的退化规律和模型预测杜瓦贮存寿命。最后,综合平衡排气温度/时间对杜瓦真空寿命及芯片盲元损耗的影响,提供一种实现红外芯片和杜瓦真空同时失效的技术途径。     

轧辊的带极堆焊

选用国产接材料进行了轧辊带极堆焊试验研究,测试了焊接参数对堆焊层参数及表面质量的影响,确定了最佳的焊接工艺参数,并堆焊完成了一个符合技术要求的轧辊,为轧辊的制造和修复提供了科学依据。     

CO2气体保护焊用于灰口铸铁的焊接工艺

就C02气体保护焊方法焊接灰口铸铁的可能性进行了工艺分析.通过试验确定了C02气体保护冷焊铸铁的焊接工艺参数及工艺措施,并将此工艺应用于电机壳、阀体等工件的焊接,取得了满意的效果.     

吊车卷筒与卷筒轴异种钢焊接工艺

在对40CrMnMo钢焊接性进行分析的基础上,通过试验确定了焊接40CrMnMo钢合理的焊接工艺参数,采用合理的工艺措施,选用J107Cr焊条,完成了吊车卷筒的焊接,达到了图样的设计要求。     

轧辊的带板堆焊

选用国产焊接材料进行了轧辊带极堆焊试验研究,测试了焊接参数对堆焊层各参数及表面质量的影响,确定了最佳的焊接工艺参数,并堆焊完成了一个符合技术要求的轧辊,为轧辊的制造和修复提供了科学依据。     

焊接工艺参数对CO2气体保护焊焊接质量的影响

在对φ1.2 mm,φ1.6 mm气保护焊丝进行大量焊接试验的基础上,研究了焊接工艺参数对C02气体保护焊焊接质量的影响规律,并由此确定了合理的焊接工艺参数范围.     

Persistent photoconductivity of amorphous Hg0.78Cd0.22Te: In films

The persistent photoconductivity (PPC) of amorphous Hg_0.78Cd_0.22Te: In films has been studied under illumination by super-bandgap light (a He-Ne laser, hν=1.96 eV, 30 mW/cm²) and sub-bandgap light (1000 K Blackbody source, the largest photon energies hν_p=0.42 eV, 8.9 mW/cm²) in the range of 80-300 K. The persistent photoconductivity effect increases with increase in illumination intensity and illumination time. However, it decreases with increase in working temperature. The non-exponential decay of photoconductivity implies the presence of continuous distribution of defect states in amorphous Hg_0.78Cd_0.22Te: In films. These results indicate that the decay of photoconductivity is not governed by the carrier trapped in the intrinsic defects, but it may be due to light-induced defects under light illumination.     

药芯焊丝在35CrMo大齿轮焊接中的应用

在对35CrMo大齿轮的焊接性进行分析和对SQJ502药芯焊丝的机械性能及工艺性能进行测试的基础上，采取了可行的工艺措施进行大齿轮的焊接，焊接质量达到了技术要求。     

紫铜的熔化极氩弧焊

本文对紫铜的焊接性进行分析的基础上，通过大量的试验，确定了紫铜熔化极氩弧焊的焊接规范参数，并对高炉纯铜衬板和电石炉底环的蕊塞进行了焊接，解决了生产中的技术难题，对今后的紫铜接具有一定的指导意义。     

提升红外焦平面探测器杜瓦组件的贮存寿命北大核心CSCD

杜瓦内真空度退化和芯片盲元增加是影响红外焦平面探测器杜瓦组件贮存寿命的两大方面。杜瓦组件的排气策略直接关系到红外红外探测器杜瓦的真空寿命和红外芯片的贮存寿命,是影响红外探测器杜瓦组件可靠性的关键。本文以杜瓦放气率测试技术为依托,结合杜瓦组件在贮存环境下的退化规律和模型预测杜瓦贮存寿命。最后,综合平衡排气温度/时间对杜瓦真空寿命及芯片盲元损耗的影响,提供一种实现红外芯片和杜瓦真空同时失效的技术途径。