空气对HAC太阳电池晶体硅/本征非晶硅界面污染情况分析

采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用wxAMPS软件模拟样品电池效率。比对结果表明:全程真空环境镀膜样品的反向饱和电流密度（J0）和理论开压（iVOC）分别为5.12×10-15 A·cm-2和0.731 V,模拟效率为23.15%;IN-IP破真空镀膜样品的J0和iVOC分别为9.06×10-14 A·cm-2和0.654 V,模拟效率为20.24%。因此,热丝CVD全程真空环境相对于IN-IP破真空镀膜具有更优的膜层生长方法。     

热丝电流对HWCVD制备α-Si∶H膜结构及钝化效果的影响

采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响.采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部ε2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里叶红外光谱测试仪分析了膜中Si-HX键,使用硅片的少子寿命表征钝化效果.结果表明:在热丝电流(两根直径为0.5 mm的钽丝的总电流)为20.5～23.5 A时,随着热丝电流增大薄膜中空位浓度逐渐增大,薄膜中氢总含量在热丝电流约22.0 A时出现峰值,而此时薄膜微观结构参数R*最小,钝化效果在约21.5A处出现峰值,对应的表面复合速率低至2.9 cm/s.     

计算机仿真技术在太阳能吸附式制冰效能实验中的应用

通过对太阳能吸附式制冰问题的仿真研究解决教学过程中实验难问题,建立逼真的太阳能吸附式制冰模型,对太阳能吸附式制冰效能问题仿真的研究可加以解决,运用统一建模语言(UML)对模型结构和模块间的关系进行了分析和仿真。仿真结果表明太阳能吸附式制冰机的制冰量及COP方面基本稳定,结果与实际情况基本相符。通过仿真可以让学生在时间与空间不允许的情况下,对太阳能吸附式制冰实验有个直观的认识。     

太阳能制冷技术

夏季太阳辐射强天气炎热，人们渴望利用太阳能资源来制冷空调，下面介绍几种常用的太阳能制冷系统以飨读者。１物态变化过程中的能量转移物质在物态变化时能吸收或放出大量的热量。例如在一个标准大气压下，纯净水在１００℃开始沸腾，如果继续加热，水吸收热量后保持温度不变，水将由液态变为１００℃的水蒸汽（气态），在此条件下每千克水可吸收热量２．２５７MJ。相反的过程，１００℃的水蒸汽（气态）放出２．２５７MJ的热量后，就会变成１千克１００℃的水（液态）。这一热量称为汽化潜热。不同物质的汽化潜热是各不相同的。２液体吸…     

热丝CVD法低温制备的多晶硅薄膜质量对衬底依赖性的研究

以SiH4和H2作为反应气体,采用HWCVD的方法分别在石英玻璃、AZO、Si（100）和Si（111）衬底上制备了多晶硅薄膜。利用X射线衍射（XRD）,拉曼（Raman）光谱和傅里叶红外（FT-IR）吸收光谱研究了不同衬底对多晶硅薄膜的择优取向、晶化率和应力的影响,用SEM观察了多晶硅薄膜的表面形貌。研究发现在4种衬底上生长的多晶硅薄膜均为（111）择优取向。单晶硅片对多晶硅薄膜有很强的诱导作用,并且Si（111）的诱导作用优于Si（100）的诱导作用。AZO对多晶硅薄膜生长也有一定的诱导作用。通过计算薄膜晶态比,得到除以石英为衬底的样品外,其它3种样品的晶态比均在90%以上,尤其以单晶硅片为衬底的样品更高。石英玻璃、AZO和Si（100）上生长的多晶硅薄膜中均存在压应力。     

绒面类型对斜入射光下太阳电池发电能力影响的分析

太阳电池在发电运行时大部分时间处于不同斜入射辐照条件,然而太阳电池及其组件的输出功率参数都是在垂直入射辐照下测量并成为衡量其发电能力的标准。对不同类型绒面的太阳电池,用这样的标准来衡量比较其实际发电运行输出可能会产生出入。通过对金字塔型绒面的单晶硅太阳电池与球窝型绒面的多晶硅太阳电池在斜入射光照时的光反射情况和两种类型组件的实际发电情况进行理论分析和实验测量,得到以下结论：按照现行标准测量结果标称输出性能,多晶硅太阳电池的实际运行发电能力相对于单晶硅太阳电池而言被略为低估了,但低估程度小于3%。一般而言,各种减反射手段所优化的实际是垂直入射辐照条件下的发电输出结果,其实际运行发电效果增益并不如标准测量结果所显示的那么大。     

热丝CVD工艺参数对GeSi薄膜键结构影响的研究

对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究。用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键(Ge—Ge、Ge—Si和Si—Si)相对含量的变化和极性键(Ge—H、Ge—H2、Si—H等H键)相对含量的变化进行了分析。研究结果表明,热丝CVD工艺参数对制备的GeSi薄膜中非极性键和极性键的影响规律是不同的。热丝温度和锗烷硅烷流量比(RS/G)对非极性键相对含量的变化均有影响。随着热丝温度上升Ge—Si和Si—Si相对含量均增加。随着RS/G增加Si—Si相对含量一直增加,Ge—Si相对含量先增加,当RS/G1.4时开始下降。但热丝温度和RS/G对H键的影响规律有很大不同:随着RS/G增加,Si—H键的相对含量增加,Ge—H和Ge—H2键的相对含量减少,而热丝温度对H键相对含量基本无影响。     

对铜常温发黑新工艺的改进

１前言表面发黑技术广泛用于各种金属制品的表面防腐及装饰，常温发黑技术具有节能、高效、操作简单、成本低、环境污染小的特点。目前研究向硒铜、硒铜磷系发展［１］。铜制品常温发黑工艺主要优点是不需加热，可大大降低能耗，所用设备也十分简单，处理速度快，一...     

电沉积法制备ZnO薄膜的结构与光电性能研究

以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液,采用两电极体系在SnO2;F(FTO)片和p-Si(100)衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜.用X-射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计分析了薄膜的相结构,晶粒尺寸和光吸收特性.发现薄膜的(002)衍射峰强度随着沉积电压的增加而显著增强;薄膜中晶粒为典型的六方柱状结构,且基本与衬底垂直,晶粒尺寸为200～400 nm;薄膜的光学禁带宽度为3.34 eV.光照时,ZnO/Si异质结二极管呈明显的光生电流效应.     

气体流量对氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H)钝化性能影响

本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)为衬底采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)沉积氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H),研究气体流量对其钝化性能的影响。结果表明,CO_2,H_2,SiH_4流量均能显著的影响a-SiO_x∶H钝化性能,最优钝化效果CO_2,H_2,SiH_4流量分别为0.3 sccm,16sccm,10 sccm,双面沉积a-SiO_x∶H后硅片的少子寿命达到了466 s(注入浓度取1×10 cm~(-3))。