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1.
使用气-质联用仪测定餐饮废油生物柴油(WCME)和-10号柴油(-10PD)的组成,使用冷滤点试验器和运动黏度试验器测定WCME的低温流动性,同时使用调合、添加低温流动性改进剂的方法改进WCME的低温流动性。实验结果表明,WCME主要由饱和脂肪酸甲酯和不饱和脂肪酸甲酯组成,质量分数分别为27.63%和71.81%;WCME冷滤点为0℃,运动黏度(40℃)为4.41mm2/s;WCME与-10PD调合后,冷滤点降低,其中B20的冷滤点最低,为-13℃,运动黏度随着WCME的体积分数的减少,逐渐接近-10PD的运动黏度。通过添加低温流动性改进剂,WCME,B10,B20的冷滤点分别从0,-8,-13℃降至-4,-26,-25℃。 相似文献
2.
本文总体介绍高清晰度电视的发展概况,并通过具体介绍高清电视系统的配置和在电视台后期制作系统的应用,让读者了解高清晰度电视的发展和前景。此外,本文还通过实例来说明目前的应用状况,使读者在实际的工作中有一个参考的选择。 相似文献
3.
汪波 《单片机与嵌入式系统应用》2012,12(2):22-24,28
以AVR单片机ATmega48芯片及CMX865调制/解调芯片为硬件架构规范了对外串口通信协议,采用模拟口线的方式对CMX865寄存器进行操作,设计了一种串口转FSK的通信模块,实现数据传输方式的转换。硬件电路以AT—mega48微处理器为核心,并利用C/BUS总线控制CMX865芯片,实现FSK/DTMF收、发功能;... 相似文献
4.
摘要:研究了焦粉粒度对烧结混合料制粒的影响,包括焦粉在制粒小球中的分布规律与混合料制粒效果。结果表明:粒度小于0.5mm焦粉主要起黏附粉作用,较为均匀地黏附到各粒级制粒小球中;粒度在0.5~1mm的焦粉作为核颗粒,分布在0.5~1mm、1~3mm制粒小球中的占比总和为81.3%,部分以共核形式存在于3~5mm及以上粒级的制粒小球中;粒度在1~3mm及以上粒级焦粉作为核颗粒分布于相同粒级与大一粒级的制粒小球中;粒度在1~3mm及以上粒级焦粉对烧结混合料制粒无明显影响,粒度小于1mm的焦粉会提高制粒后混合料中小粒径制粒小球的含量,不利于混合料制粒,应尽可能减少焦粉中粒度在05~1mm的含量,将焦粉中粒度小于0.5mm的质量分数控制在20%~30%。 相似文献
5.
针对5’-单磷酸腺苷(5’-AMP)在溶析结晶中易出现爆发结晶的问题,分别采用静态法和激光法测定了293—323 K下5’-AMP在纯水以及溶剂体积比为0.3—2.0的乙醇-水体系中的溶解度和超溶解度,以指数经验关联式建立了超溶解度关联式,并在试验条件下考察了温度、乙醇流速、pH值和搅拌速率对介稳区宽度的影响。运用中心复合设计预测了5’-AMP在本溶析结晶体系中介稳区间,并用扫描电镜观察了5’-AMP在结晶条件优化前后晶体形态的变化情况,为工业生产中提高结晶产品质量提供了理论指导。 相似文献
6.
目的 研究水处理构筑物内的流动以及絮体在池内的运动,为气浮的优化设计提供参考依据.方法 以等圆直径作为带气絮体的特征粒径,通过图像法来计算带气絮体的密度,得出带气絮体直径-密度的函数关系.以上述得到的结果作为Fluent中DPM(Discrect Phase Model)模型的粒子粒径-密度设定的依据,对两相流进行计算.结果 在模型分离区中对不同位置的带气絮体运动速度进行观测,其速度一般在10~20 mm/s.以图像法得到分离区中带气絮体的直径-密度函数关系来表示絮体颗粒物理特性,当进水量Q为20 m3/h,回流比R为9%,投加15 mg/L三氯化铁时,带气絮体粒径-有效密度的数学表达式为ρ0-ρ=0.000 2D-1.684 5.结论 以图像法得到分离区中带气絮体的直径-密度函数关系来表示絮体颗粒物理特性,结合Fluent的DPM(离散相)模型来模拟带气絮体在气浮分离区的运动是可行的. 相似文献
7.
为解决固定电话网络交换设备的冗余和数据提取问题,以华为C&C08程控交换机为背景,采用华为公司的TABLEBROWSE软件系统,研究和设计了一套固定电话网络的瘦身方案。该方案基于网络数据提取和割接命令脚本实现,解决了固定电话网络割接过程中存在的多种问题。与从97系统中提取数据的一般方法相比,该方案的数据实时性强,数据的准确率达到100%,所耗费的时间也缩短了一半。经过实际工作证明完全可行。 相似文献
8.
9.
高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电压、离子注量以及反向栅源电压呈正相关。为进一步研究SiC MOSFET单粒子效应机理,结合实验数据进行TCAD仿真,发现器件发生单粒子效应时存在两种失效模式,第一种失效模式与Si基MOSFET类似,而第二种失效模式与SiC器件的特有结构密切相关,容易形成更高的分布电压,导致栅氧化层烧毁失效。该结果为抗辐照加固器件的研究提供了理论支撑。 相似文献
10.