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南京电子器件研究所最近研制出国内首只宽带微波 MEMS开关 ,在 DC- 2 0 GHz范围内插入损耗、驻波和隔离性能良好。开关设计为一薄金属膜桥组成的内禀式桥式结构 ,在硅衬底上由介质膜、下电极、上金属薄膜、共平面波导传一等组成 ,形成一个 SPST并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触开关。开关通过静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容。所研制宽带微波 MEMS开关 ,用 WIL TRON36 0 B网络分析仪进行检测 ,结果是 :DC-2 0 GHz频段插入损耗小于 0 .6 9d B;1 4- 1 8GHz内隔离大于 1 3d B,1 8- 2 0 GHz时隔离大… 相似文献
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