匀胶速度对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构的影响

用粉末—溶胶法和快速退火工艺在S i(100)基片上制备了Ca0.4Sr0.6B i4Ti4O15陶瓷厚膜。研究了匀胶速度及退火温度对厚膜结构的影响。用X射线衍射表征了厚膜的晶体结构,用扫描电镜观察了样品显微形貌。结果表明在750℃进行退火,匀胶速度为4500 r/m时样品晶粒发育良好,表面平整无裂纹,厚度约为1.5μm,且a轴取向较明显。     

烧结温度对Ca0．6Sr0．4Bi4Ti4O15铁电陶瓷性能影响

利用溶胶凝胶法制备了钙锶铋钛（Ca0.6Sr0.4Bi4Ti4O15简称CSBT-0．6）铁电陶瓷，研究了烧结温度对CSBT-0．6铁电陶瓷相结构、显微结构以及铁电性能的影响，分析了相关机理。发现在1150℃进行烧结，样品晶粒发育较完全，晶粒a轴取向较大，铁电性能优良，剩余极化强度Pr=8．2μC／cm^2、矫顽场强Ec=57kV／cm、介电损耗tanδ=18×10^-4。     

铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响

利用溶胶凝胶法制备CaBi4 xTi4O15(CBT-x)铁电薄膜,探索了不同铋含量对CBT-x铁电薄膜样品的相结构、微观形貌和电学性能的影响,研究表明,当x为0.3时,样品的剩余极化强度达到最大值,2Pr= 8.7μC/cm2,矫顽场强2Ec=7.6kV/mm,相对介电常数的大小在(160±6)%范围内,损耗因子在0.05～0.08之间,适量的铋含量可以较好地抑制过多的氧空位、焦虑石相和其它杂相的产生.     

利用废弃混凝土制备半干压成型砖的研究

利用废弃混凝土制备了半干压成型砖,研究了养护制度和碱激活对半干压成型砖性能的影响.结果表明,随着养护温度的提高,半干压成型砖的强度逐渐增大;养护温度越高,半干压成型砖的最大强度也越高,达到最高强度所需的时间越短;当养护时间达到一临界值后,强度不再增长.碱激发可提高半干压成型砖的早期强度,但对半干压成型砖的后期强度没有影响.制备的半干压成型砖抗压强度和抗冻性等指标能够满足相关标准的要求,表明利用废弃混凝土制备半干压成型砖是可行的.     

硅基板表面电沉积法制备HAP涂层及表征

在含有Ca2+和PO43-的电沉积液中,以硅基板为阴极,在其表面制备了HAP涂层,并用XRD、SEM、AFM及纳米压痕对涂层进行表征.通过对不同电沉积时间的涂层进行分析,可知加上电压后可以快速的在硅基板表面形成HAP的涂层,随着沉积时间延长,晶粒长大,涂层增厚,并在涂层上产生裂纹.由XRD图谱可知在最初阶段形成的HAP晶粒结晶度低,为无定型态状态,随着电沉积时间延长,组成涂层的晶粒结晶程度提高,XRD峰值增大变得尖锐.AFM分析表明晶粒生长均匀,粗糙度较低,纳米压痕测试结果显示涂层的力学性能较低.     

凝胶预碳化处理对Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15纳米晶粉体的影响

用凝胶预碳化处理工艺的溶胶-凝胶法制备了晶粒粒径小且分散性能较好的钙锶铋钛(Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15)纳米晶粉体.借助差热-热重分析仪、X射线衍射仪和扫描电镜等分别确定凝胶的预碳化处理温度,研究了预碳化处理工艺对粉体的物相结构、粉体的微观形貌以及分散性能的影响,并分析讨论了预碳化机理.结果表明:在300℃对前驱体凝胶进行预碳化处理增强了粉体的分散性,降低粉体的粒度,提高粉体的均匀性.凝胶预碳化处理工艺并未对粉体的物相结构造成影响.经过预碳化处理制备的粉体的颗粒尺寸集中在100nm左右;未经预碳化处理的粉体的颗粒尺寸为100nm～1 μm.凝胶预碳化处理后,高吸附活性的有机碳包覆在前驱体的表面是有效减少粉体团聚的原因.     

溶胶-凝胶法制备掺钙钛酸锶铋铁电薄膜

利用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了CaxSr1-xBi4Ti4O15(CxS1-xBT,x=0～1)铁电薄膜.研究了不同Ca2取代量对薄膜的微观结构、取向生长、铁电性能以及介电性能的影响.结果表明:当Ca2 取代量为x=0.4时,C0.4S0.6BT铁电薄膜样品在一定程度上沿a轴择优取向;样品致密性较好,晶粒呈球型,且大小均匀,尺寸约为100nm.C0.4S0.6BT薄膜的剩余极化强度为8.37μC/cm2,矫顽场强为72kWcm;在1 Hz～1 MHz频率范围内,相对介电常数为234～219,介电损耗为0.009～0.073.     

镧、铈掺杂对钛酸钡基介电陶瓷性能的影响

为了改善钛酸钡陶瓷的介电性能,采用溶胶凝胶法,制备了镧、铈掺杂的钛酸钡基介电陶瓷,研究了镧、铈2种稀土氧化物对其介电性能、耐压程度等性能的影响以及与显微结构的关系.实验表明:2种稀土元素对钛酸钡陶瓷的晶粒生长有较大的抑制作用,镧和铈的掺杂量在1.0%(物质的量分数)左右对钛酸钡陶瓷的介电性能有很好的改善作用.但镧离子和铈离子在钛酸钡中的离子取代情况有所不同,因而,改善性能的作用不同.镧掺杂钛酸钡陶瓷性能好于铈掺杂的钛酸钡陶瓷,掺杂物质的量分数为1.0%的镧掺杂钛酸钡陶瓷的相对介电常数大于4000,从室温到125℃温度范围内,介电常数的温度系数小于10%,击穿场强大于7.5kV/mm.     

SBTi系层状铁电陶瓷材料研究现状

对一种应用前景较好的铋层状钙钛矿结构铁电陶瓷材料SBTi的研究进展进行了综述，主要对掺杂改性和制备方法方面的工作和成果进行了阐述。     

热处理工艺对钙锶铋钛铁电薄膜性能的影响

用溶胶-凝胶法和快速退火技术在带白金电极和钛过渡层的硅片(Pt/Ti/SiO2/Si)上制备了钙锶铋钛(Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15,CsBT-0.4)铁电薄膜.结果表明:退火温度及保温时间对CSBT-0.4铁电薄膜的微观结构、晶粒取向以及铁电性能的影响较大.x射线衍射谱表明:退火温度为750℃、保温时间为5min,得到的CsBT-0.4铁电薄膜样品的晶粒大小较均匀且致密性好,而且晶粒以a轴取向的球状晶粒为主,剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为16.2 μC/cm2和130kV/cm.