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指令集仿真器在ASIP处理器硅前软件开发中发挥着重要的作用,但使用传统仿真方法的指令集仿真器仿真速度较慢.基于二进制插桩,提出了ASIP处理器指令集混合仿真方法,以混合仿真的方式,使基础指令直接运行在宿主机上,仅对扩展指令仿真,从而降低仿真开销,提升仿真速度.实验表明,采用此方法对主流高清音视频解码软件进行仿真的平均速度达到了1058.5MIPS,是采用当前先进的动态二进制翻译仿真方法仿真器速度的34.7倍. 相似文献
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在各类高清视频解码过程中,分像素插值是计算最为密集的处理环节之一.针对已有分像素插值结构在兼顾性能与灵活性方面所存在的不足,提出一种适用于多标准视频解码处理的可重构分像素插值结构设计.通过分析不同标准的插值计算模式之间的共性与差异,提出一种新型可重构并串混合滤波结构,其中的数据传输通路、输入/输出数据模式以及滤波计算单元均可进行动态配置,能够支持包括VC-1,H.264/263,AVS和MPEG-1/2/4在内的多种视频标准.实验结果表明,该设计能够完成多标准实时HDTV 1080 p(1920x1088@30 fps)视频解码;同已有工作相比,该设计在同等硅片资源下能够支持更多高清视频编解码标准.该设计目前已实际应用在一款多媒体SoC芯片中. 相似文献
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H.264/AVC的运动补偿处理环节需要消耗大量的内存访问带宽,这成为制约其性能的关键因素.分析表明,如此巨大的带宽消耗具体来自5个方面:像素数据的重复读取、地址对齐、突发访问、SDRAM页切换和内存竞争冲突.提出一种基于2D Cache结构的运动补偿带宽优化方法,充分利用像素的重用以减少数据的重复读取.同时通过结合数据在SDRAM中映射方式的优化,将众多短而随机的访问整合为地址对齐的突发访问,并减少了访问过程中页切换的次数.此外还提出了访存的组突发访问模式,以解决SDRAM竞争冲突所引入的开销.实验结果表明采用上述优化设计后,运动补偿的访存带宽降低了82.9~87.6%,同现存优化效率较高的方法相比,带宽进一步减少了64%~87%.在达到相同带宽减少幅度的前提下,所提出的新方法比传统Cache结构电路面积减少91%.该方法目前已在一款多媒体SoC芯片设计中实际应用. 相似文献
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140t/h干熄焦设备壳体制造技术 总被引:1,自引:1,他引:0
武钢焦化140t/h干熄焦壳体制作精度及焊接质量要求较高,施工制作时通过对壳体下料、成型压制、壳体修型、壳板的组装及焊接、壳体预装等制作环节的工艺技术控制,保质高效地完成干熄焦壳体的制造,为以后同类工程提供可借鉴的经验。 相似文献
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源于核桃壳的生物形态多孔炭的制备及其性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以核桃壳作原料,利用控温炭化得到了保留材料生物学特征结构的多孔炭(WSC),采用TGA、XRD、SEM、BET等测试手段对所得材料的炭化过程、微观结构、组成以及氧化机理进行了系统研究。结果表明:材料中存在丰富的相互连通的孔及孔隙,断口孔隙率为31.46%,孔隙直径约为0.5-1 m,比表面积为380m^2/g左右;碳主要以非晶形式存在,随炭化温度升高,非晶碳中类石墨的002峰增强,晶面间距减少,结构逐渐向理想石墨转变,同时密度增加,气孔率和比表面积下降;材料的非等温氧化速率先升高后降低,这是由于组成炭材料的烯片层结构中活性碳原子数量随氧化反应的进行发生变化所致。 相似文献
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在SiC粉中添加MoSi2粉,采用模压成型、无压烧成方法制备MoSi2-再结晶SiC(RSiC)复合材料。利用扫描电子显微镜、X射线衍射和等温氧化法研究复合材料的高温抗氧化性能及氧化机理。结果表明,所得复合材料中SiC为6H型,部分MoSi2转变为六方结构M04.8Si3Co6,添加MoSi2前后样品的氧化产物均为方石英,样品表面生成的氧化膜形貌相似。氧化过程中样品质量变化与时间关系遵循抛物线规律,随MoSi2添加量增加,复合材料的抗氧化性能显著提高,其中,添加20%(质量分数)MoSi2所得复合材料在1500℃循环氧化100h后质量增加量仅为未添加MoSh样品的37%。当MoSi2添加量为10%时,复合材料的抗氧化性能随样品烧成温度的升高先提高后降低,2300℃烧成所得材料有较好的高温抗氧化性能,其氧化速率常数为0.99mg^2/(cm^4·h)。在氧化初始阶段,M04.8Si3C06和MoSi2首先发生氧化反应,随氧化时间增加,M04.8Si3Co6和MoSi2消耗殆尽,此后的氧化则主要为M05Si3和SiC的氧化。Si02膜的致密性和膜厚度与膜中M05Si3的含量有关。 相似文献
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在SiC粉中添加MoSi2粉,采用模压成型、无压烧成方法制备MoSi2–再结晶SiC(RSiC)复合材料。利用扫描电子显微镜、X射线衍射和等温氧化法研究复合材料的高温抗氧化性能及氧化机理。结果表明,所得复合材料中SiC为6H型,部分MoSi2转变为六方结构Mo4.8Si3C0.6,添加MoSi2前后样品的氧化产物均为方石英,样品表面生成的氧化膜形貌相似。氧化过程中样品质量变化与时间关系遵循抛物线规律,随MoSi2添加量增加,复合材料的抗氧化性能显著提高,其中,添加20%(质量分数)MoSi2所得复合材料在1500℃循环氧化100h后质量增加量仅为未添加MoSi2样品的37%。当MoSi2添加量为10%时,复合材料的抗氧化性能随样品烧成温度的升高先提高后降低,2 300℃烧成所得材料有较好的高温抗氧化性能,其氧化速率常数为0.99mg2/(cm4.h)。在氧化初始阶段,Mo4.8Si3C0.6和MoSi2首先发生氧化反应,随氧化时间增加,Mo4.8Si3C0.6和MoSi2消耗殆尽,此后的氧化则主要为Mo5Si3和SiC的氧化。SiO2膜的致密性和膜厚度与膜中Mo5Si3的含量有关。 相似文献