不同形貌Ga2O3纳米材料可控合成工艺研究

通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga2O3，纳米材料形貌的影响，确定出合成5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料的工艺条件。场发射扫描电镜（FE-SEM）表明5种不同形貌α-Ga2O3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片。X射线衍射（X-ray）分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数日=1．223nm，b=0．304nm，c=0．58nm，a=90°，β=103．7°，γ=90°的单斜晶系β-Ga2O3晶体。     

ZnO／Ag纳米复合材料光催化性能研究

通过XRD、TEM测试研究了自制ZnO／Ag纳米复合材料的结构和形貌，通过UV检测确定了以该纳米复合材料为光催化剂，在不同条件下对甲基橙的光催化降解率。结果表明：与空气煅烧相比，真空煅烧所得纳米复合材料的光催化降解效果更好，且光催化降解率随纳米复合材料用量增加而增大：甲基橙溶液的pH在5左右时，光催化降解率最高：H2O2浓度为0．9g／L时，光催化降解率可达100％。     

工艺参数对合成ZnO／Ag纳米复合抗菌剂产率的影响

通过正交实验，研究了反应温度、反应时间、反应物配比对ZnO／Ag纳米复合抗菌剂合成产率的影响规律。获得了高产率合成ZnO／Ag纳米复合抗菌剂的优选工艺条件：反应温度为10～25℃，ZnSO4与NH4HCO3的摩尔比为1：2-2．5，ZnSO4与NH4HCO3的反应时间为2．5～3h，AgNO3与NH4HCO3的摩尔比为1：1．5～2，反应时间为0．5h，ZnO／Ag的产率超过98％。XRD、TEM和SAED结果表明：ZnO／Ag纳米复合抗菌剂为具有纤锌矿结构的ZnO和立方结构的Ag组成。粒径为15～25nm，分散性较好。     

纵向多孔及实心ZnO微纳米棒的制备、表征及其光催化性能研究

以硝酸锌和六次甲基四胺为原料,水为溶剂,采用低温水热法制备出具有优异光催化性能的六方纤锌矿结构ZnO微纳米棒,并研究了合成过程中磁力搅拌及原料溶液浓度对制备产物形貌及光催化性能的影响,建立了其光催化降解甲基橙的动力学方程。结果表明,搅拌条件下制备的产物为纵向多孔的棒状ZnO,无搅拌条件下制备的产物为实心ZnO纳米棒.优选出的硝酸锌和六次甲基四胺浓度均为0.025mol/L。相比于实心ZnO纳米棒,纵向多孔的棒状ZnO具有更优异的光催化性能,在紫外光照射20min后,对甲基橙的降解率达到100%。通过动力学模型拟合发现,纵向多孔的棒状ZnO具有更大的催化速率常数(0.2942 min~(-1)),是实心ZnO纳米棒催化速率常数(0.1306min~(-1))的2.25倍。     

快速铁路连续梁桥线形监控分析

以某快速铁路某桥为研究对象,结合具体工程概况,介绍了该桥的线形监控的方法以及线形监控中采取的措施,并阐述了自适应控制方法能较好地应用于此类桥梁的线形控制。     

连续生产纳米材料真空可控气氛炉真空系统的设计

设计了用于气相法连续制备纳米材料的真空可控气氛炉真空系统.确定真空系统方案,计算真空室的极限真空、工作压强、机械泵的抽气时间、真空法兰及真空管道的壁厚,并且对真空泵和真空阀门进行选型.     

金秋藕馔

金风送爽,鲜藕陆续上市,直.至隆冬,它点缀着人们的餐桌.鲜藕,生吃熟食皆相宜,且含较高的钙、磷、铁,以及多种维生素,富有营养价值.我国医学认为,鲜藕生吃可清热凉血;熟食能养血生肌,健脾开胃,是有滋补作用的美味菜     

新型相变材料的基本热性能分析

近年来,建筑能源消耗日益严重,为降低能源消耗、提高能源利用率,相变储能作为一种新型有效的绿色环保的节能技术,应运而生。本文以癸酸、月桂酸为相变材料,膨胀珍珠岩作为基体材料,采用真空吸附法制备出定型复合相变材料。采用步冷曲线法初步确定相变温度,温度智能仪表测试定型复合相变材料的调温性能。对于了解和掌握二元相变材料的配制、复合相变材料的制备、复合相变材料的特性、及其在建筑方面的应用前景具有较为重要的参考价值。     

幸福的建筑

要了解这本书，咱们还得先认识一下本书的作者——被称为“英伦才子”的阿兰德波顿（Alain de Botton）。这个在1969年生于瑞士苏黎世的家伙运气不错，他那个当银行家的有钱老爸在他8岁时就把他被送到伦敦去念书。从哈罗公学到剑桥大学，他一路都享受着“富二代”的幸福生活。当然，这家伙没有以70码的速度飚车的不良嗜好，他喜欢旅游和购物，顺便谈情说爱。     

SiC一维、准一维纳米材料的制备工艺研究

综述了近年来SiC一维、准一维纳米材料制备工艺的最新研究进展,重点介绍了模板生长法、化学气相沉积法、熔体生长法、碳热还原法和溶胶-凝胶法的工艺特点,并对不同工艺方法制备的SiC一维、准一维纳米材料的微观形貌、优异性能进行了简要概述,总结了现阶段SiC一维、准一维纳米材料制备工艺研究所面临的问题及发展前景.