高层错位异型飘窗附墙爬升模板的施工方法

文章主要是介绍泰兴市鑫泰大厦南面上的异形、错位、错层的飘窗施工中,如何利用采用附墙爬升模板交互爬升方法,一并解决了上述问题,做到了经济、安全、高效。     

高分子芯模现浇空心楼板位移和上浮的控制措施

文章主要针对高分子组合芯模在现浇混凝土空心楼盖结构施工技术应用中,芯模的位移和上浮的控制措施,提出了自己的做法及实施效果。     

软弱夹层对挂帮矿开采过程中边坡稳定性影响

为探究软弱夹层影响下采用无底柱分段崩落法开采挂帮矿时的边坡稳定性,通过自建的岩石拉张破坏有限元模型,分析了露天边坡在不同弱层长度、埋深和倾角条件下,挂帮矿开采诱发边坡失稳破坏的范围。结果表明:随着弱层长度增大,2个分段挂帮矿开采后形成的采空区体积与塌落的松散岩体体积均逐渐增大,在弱层长度小于80 m的条件下,采空区体积大于松散岩体体积;随着弱层埋深、倾角增大,(1)分段挂帮矿在弱层埋深大于等于100m、弱层倾角大于等于15°条件下,开采形成的采空区体积大于松散岩体体积;(2)分段挂帮矿开采形成的采空区体积始终小于塌落的松散岩体体积。     

一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺

硅基光电子芯片的端面耦合器具有大带宽、低损耗、偏振不敏感等优点,使人们希望在端面封装方面获得突破。提出了一种用于硅基光电子芯片端面封装的深硅刻蚀工艺,利用等离子体刻蚀形成的斜面与光纤阵列的封装面进行匹配封装,降低封装中的耦合反射;利用斜面刻蚀工艺和深硅刻蚀工艺相结合的方法制备深硅刻蚀槽,提高了晶圆划片的冗余度,通过控制深硅刻蚀槽内的划片位置来消除台阶凸起对光纤封装造成的不利影响,使在后续封装过程中无需对芯片端面台阶凸起实施磨抛工艺。实验结果显示,基于该工艺,端面耦合器损耗劣化小于0.1 dB。该封装结构可以在晶圆流片阶段实现制备,具有可大规模生产、降低硅基光电子芯片端面封装成本的优点,以及广阔的工程应用前景。     

基于FAHP-Entropy赋权法的排土场复垦适宜性评价

确定损毁土地复垦方向的前提是进行土地复垦适宜性评价,针对研究对象建立科学、高效的评价模型。排土场土地复垦适宜性评价在优化土壤因素指标选取方式的同时,增加了周围土地利用现状和原始土地利用方式两个指标。在此基础上,利用FAHP-Entropy赋权法分配各指标的权重,建立基于FAHP-Entropy赋权法的排土场土地复垦适宜性评价模型,用该模型对拉拉铜矿西排土场进行土地复垦适宜性评价。根据评价结果和该矿西排土场实际情况得到:西排土场平台应复垦为灌木林地,排土场边坡应复垦为其他草地。建立的评价模型可为排土场土地复垦提供技术支持。