天然染料染色中媒染剂应用的现状与展望

概述了近年来天然染料染色过程中媒染剂的研究现状。首先对非铬金属媒染剂、天然媒染剂以及复配媒染剂的研究进行了介绍,其次对这三种媒染剂媒染原理进行了阐述,最后对媒染剂研究趋势进行了展望。     

某进口固体废物“铁精粉”的鉴别方法探析

为了确保不进口污染环境的固体废物，针对某冒充铁精粉的进口固体废物，通过外观、成分、物相分析进行了系统的鉴别。确定样品主要为经研磨加工的氧化铁皮，属于禁止进口的固体废物——轧钢产生的氧化皮。     

基于3D打印技术复制砂浆节理的剪切试验及峰值抗剪强度模型

为进一步研究节理三维形貌特征与节理峰值抗剪强度的关系,首先采用巴西劈裂试验获取了自然劈裂岩石表面,通过三维扫描技术获取了节理面形态的高精度点云,通过逆向建模得到了自然岩石表面的立体模型,结合3D打印技术制作出了与自然岩石表面一致的PLA模具,以3D打印获得的底模通过水泥砂浆浇筑了含有自然结构面形貌的相似节理面试样。PLA模具与复制材料差异较大,复制材料在凝结过程中不易与PLA模具黏结,进而使脱模过程较为方便,不会破坏节理面。同时PLA模具可重复进行相似材料复制工作,具有可重复使用的优点。然后进行了具有5组形貌面的20个水泥砂浆节理面在4种不同法向荷载情况下的结构面剪切试验,得到了结构面剪切位移-荷载曲线。研究了结构面峰值抗剪强度、峰值位移、剪切刚度影响因素。节理经过剪切后形貌面出现不同程度的磨损,其磨损范围与等效高差分布范围基本一致,并且在等效高差为剪断破坏模式且成片的区域磨损较为严重。在新粗糙度指标基础上提出了新的峰值抗剪强度模型,经试验对比显示出新模型的有效性。在新模型基础上提出了一个简化模型。对比发现新模型简化后其计算精度较新模型有所降低但由于所需参数减小计算较为方便,新模型简化结果精度虽然有所下降但是还是比Barton公式精度高。     

两种比色法测定甲壳素类化合物含量的研究和比较

建立了间苯二酚显色测定甲壳素类化合物含量的分光光度法.方法的测定波长为500nm,线性曲线回归方程为Abs=5.435Conc-0.026(R=0.9999),线性范围20～80mg/L-1,与通常的DMAB方法比较,该方法实验周期短,灵敏度高.     

催化裂化装置沉降器内结焦物的基本特性分析及其形成过程的探讨

采用扫描电镜（SEM）和X射线能谱分析仪对催化裂化装置（FCCU）沉降器内结焦物的微观组织结构和成分进行了分析，将结焦物划分为软焦和硬焦。焦的硬度与油气液滴和催化剂颗粒的沉积过程有关，尤其是结焦部位的油气流动方式和催化剂颗粒的运动状态，决定着未汽化的重质油组分液滴和催化剂颗粒的沉积形式和沉积物的构成，从而影响着焦的软硬程度。软焦是催化剂颗粒或油气在油气静止空间以自由沉降和扩散方式堆积在器壁表面而产生的结焦，形成的焦块松散，易粉碎，含催化剂比较多，颗粒粒径比较大，是一种堆积型结焦；而硬焦是油气液滴和细小催化剂颗粒在油气流动状态下，在器壁表面的附面层内以沉积方式粘附在器壁表面形成的结焦，焦块质地坚硬，含催化剂比较少。颗粒粒径细小，足沉积型结焦。还有相当一部分结焦物介于软焦和硬焦之间。     

FCC装置主风分布管喷嘴磨损的气相流场分析

用FLUENT流体计算软件对FCC装置再生器树枝状分布管喷嘴流场进行了计算,分析了喷嘴发生磨损的机理.对喷嘴流场的计算表明喷嘴磨损是催化剂颗粒造成的,属于气固两相流冲蚀磨损.由于某些喷嘴的压力降偏低和流场存在偏流,造成催化剂颗粒倒流至喷嘴内部或分布支管内部.催化剂颗粒流经喷嘴时,斜向冲击内壁产生冲蚀磨损.磨损首先发生在喷嘴内壁局部区域,形成圆弧状磨损痕迹,再将喷嘴磨穿,逐渐扩大为整个喷嘴,磨掉喷嘴.这些分析结果可为主风分布管的设计提供帮助.     

预应力锚杆边坡支护技术在深基坑中的应用

1概述 近年来，随着我国经济建设的发展，建筑与交通等基础设施建设也取得了长足的进步。在基坑支护方面，大量深基坑工程的出现，促进了设计计算理论和施工工艺的发展和不断完善；通过大量的工程实践和科学研究，已逐步形成了基坑工程学这一新兴学科。根据基坑周边环境、开挖深度、工程地质与水文地质、施工作业设备和施工季节等条件，通常采用排桩或地下连续墙、水泥土墙、土钉墙、逆作拱墙、放坡以及以上几种组合使用的基坑支护结构方案。安全有效的基坑支护方法为主体结构的进一步实施创造了充分必要的条件。     

从消防审查角度谈水消防设计的几个问题

从建筑工程消防审查角度出发,探讨了室外水消防设计和有关说明的必要性,充实水柱的保护范围及消火栓的布置间距设计的误区,自动喷水灭火系统末端试水装置和试水阀处的排水设置,自动喷水灭火系统的设计基本参数应在设计说明中注明,自动喷水灭火系统气压供水设备的设计,高层建筑内无可燃物的设备层是否应设自动喷水等常见问题。针对问题,从消防审查角度提出解决措施。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.