有机层厚度对OLED性能的影响

采用真空蒸发的方法制备出玻璃衬底ITO／TPD／Alq／A1结构的有机发光器件(OLED)。改变有机层的厚度, 比较不同厚度下OLED的各项性能的差异,包括工作电压,发光效率。实验发现无论增大空穴传输层TPD的厚度 抑或是发光层Alq的厚度都会增大器件的工作电压。发光层Alq厚度的增大还能引起发光效率的增大,而TPD厚 度的增大对发光效率的影响则是复杂的。对于上述现象用隧穿理论以及直带模型进行了解释。对制备高亮度, 高效率低损耗的OLED具有指导意义。     

Ga在SiO2-Si复合结构中的热分布研究

用H2和Ga2O3的高温反应形成元素Ga的恒定表面源，通过SiO2-Si复合结构实现了Ga在Si中的高均匀性掺杂；利用二次离子质谱分析(SIMS)、扩展电阻(SRP)、四探针测试等方法，对P型杂质Ga在SiO2薄膜、SiO2-Si两固相接触的内界面、近Si表面的热分布进行分析；揭示出开管方式扩散Ga的实质是由SiO2薄膜对Ga原子的快速输运及其在SiO2-Si内界面分凝效应两者统一的必然结果；并对该过程Ga杂质浓度分布机理进行了分析和讨论。     

ZnO单晶堆垒纳米棒的制备与表征

在Au点阵模板上磁控溅射ZnO薄膜,然后在O2气氛下1000℃退火制备了ZnO单晶堆垒纳米棒。采用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和傅立叶变换红外(FTIR)光谱对样品进行分析。结果表明,ZnO纳米棒是由诸多单晶堆垒而成,每个单晶均为六方纤锌矿结构,纳米棒直径在100nm左右。初步探讨了ZnO单晶堆垒纳米棒可能的生长机理。     

NiO/Ag/NiO透明导电膜光电特性研究

在室温条件下,利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了NiO/Ag/NiO透明导电膜,研究了不同NiO层和Ag层厚度对三层膜可见光透过率和电阻特性的影响。结果分析表明:制备的NiO/Ag/NiO为N型透明导电膜。在400~800 nm的可见光区域内,随着NiO和Ag层厚度的增加,薄膜的透光率先增大后减小。NiO层厚度为30 nm且Ag层厚度为11 nm时,叠层膜具有较好的光学特性,其最大透过率为84%,薄膜电阻为3.8Ω/sq,载流子浓度为7.476×1021cm-3。对薄膜透过率进行了计算机模拟,发现结果与实验中大致趋势相同,但因为折射率选择和薄膜界面等因素的影响,在可见光区域后半段实验值大于计算值。