电活性分子L-B膜修饰CdSe薄膜电极的光电化学研究

用电活性分子——硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰了薄膜CdSe电极,在单色光650nm光照下用循环伏安法研究修饰的薄膜电极的光电化学性能。研究结果指出经多层L-B膜修饰后,薄膜CdSe电极的,I-V性能和光稳定性都有明显改善。用界面能级关系讨论了硬脂酸二茂铁酯L-B膜在光照的CdSe薄膜/Fe(CN)_6~(4-)溶液界面起传递电荷的中介作用,加速了界面的电荷转移。     

cdSe_xTe_(1-x)薄膜电极光溶解性能的研究

用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_(1-x)薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。     

用光电化学方法测定n-InP的物理参数

应用光电化学方法,根据Butler-Gartner模型测定了n-InP半导体材料的少子扩散长度、吸收系数、跃迁模式和禁带宽度,并将结果与文献上用物理方法测得的数据进行了比较。     

怎样写科技论文

科技论文与总结、讲义、报告不同,它要求作者从许多分散的书刊中搜集资料,通过自己的思考分析或实验,作出判断,最后得出新的见解或结论。这种新的见解或结论,可以是推翻旧的理论,也可以是用新的观点,将一些分散的材料系统贯串起来加以论证。     

用旋转环盘电极研究Fe(CN)_6~(4-)在n-CdSe上光氧化机理及稳定性

应用旋转环盘电极研究了各种因素对Fe(CN)_6~(4-)在n-CdSe电极上光氧化反应及半导体电极稳定性的影响,讨论了n-CdSe光电化学电池合适的参数。     

用表面处理法降低TiO_2粉末光活性问题的研究

本工作采用了两种简便的方法即用不同金属盐和金属氧化物对两种晶型(锐钛矿型和金虹石型)TiO_2粉末进行表面处理来降低TiO_2的光活性并对两种表面处理方法的优缺点作了比较,在评价TiO_2光活性时采用异丙醇光氧化反应的方法。实验证明,用金属盐表面处理TiO_2,其光活性有明显降低。用金属氧化物对TiO-2进行表面处理,在氧化物/TiO_2比例适当时也可以得到与金属盐表面处理TiO_2的同样效果。此外,我们还对TiO_2表面处理后能降低其光活性的作用机制问题进行了讨论。     

以n-InP为基的光电化学电池的研究

本文对以n-InP为基的再生式光电化学电池进行了多方面的探讨。研究了电极的掺杂浓度、晶面、溶液中的氧化还原对、酸碱度以及光强对电池性能的影响,还研究了电极的稳定性。研制的电池性能指标如下:n-InP[N_D=10~(16)cm~(-3),(100)面]在0.001MFe~(2 ) 0.5MFe~(3 ) 3MHCl溶液中,光强为65mW/cm~2时,转换效率η=18％;n-InP[N_D=10~(18)cm~(-3),(100)面]在0.5MFe~(2 ) 0.4MFe~(3 ) 1.5MHCl溶液中,光强为50mW/cm~2,η=6—8％,转换效率稳定性超过90小时;n-InP[N_D=10~(18)cm~(-3),(?)面]在2MS 1.5MNa_2S 1MNaOH溶液中,光强为50mW/cm~2,短路150小时后,电极完全稳定,η=3.1％。     

n-CdSe/Fe(CN)_6~(4~-/3~-)光阳极上的光氧化竞争反应及用L-B技术修饰电极的影响

用旋转环盘电极研究了还原剂K_4Fe(CN)_6与n-CdSe光阳极上的竞争空穴的氧化反应,证明还原剂捕获光生空穴的途径为直接自价带俘获空穴。又利用L-B技术在n-CdSe电极表面修饰硬脂酸二茂铁酯,结果表明还原剂俘获光生空穴的能力增强,电极的稳定系数提高。     

p-InP作为PEC电池光阴极的表面修饰与背面接触的改进

本文报道了在p-InP/VCl_3-VCl_2-HCl/C光电池中改进p-InP光阴极的研究结果。p-InP光阴极,经表面掺Sn、Ag修饰及形成Cu背面接触后,在阳光下的光电转换效率达18.8％。考查了Ag、Cu等对电极表面修饰的影响。其中,Ag修饰的效果最好,明显地改善了电池的填充因子,使电池的光电转换效率提高约40％。用电化学法制备电极的背面接触试验表明:镀铜层经适当退火处理,同用Au-Zn合金蒸镀制备的欧姆接触相比,光电转换效率可提高28％。由镀Cu层形成的背面接触的作用效果明显。     

n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中光脉冲暂态行为研究 Ⅱ.负载电阻及还原态浓度的影响

本文应用光脉冲技术研究了负载电阻及还原态浓度对n-InP在Fe~(3+)/Fe~(2+)溶液中暂态行为的影响,结果表明,光电流表减呈双指数形式,增大负载电阻,峰值光电流减小,衰减时间常数增大。增大还原态浓度,峰值光电流增大,衰减时间常数减小。