TiO2纳米光电化学太阳电池研究

介绍了TiO2纳米光电化学电池原理、研究现状及其发展前景。     

电化学沉积砷化镓薄膜时自动控制电解液pH值的研究

描述了电化学沉积砷化镓薄膜太阳能电池时电解液ｐＨ值的自动控制。设计了一种以单片机为核心的自动控制系统，以实现电解液ｐＨ值的自动检测和自动控制。描述了该系统的原理与构成。指出：这种控制系统具有结构合理、使用方便等特点。     

电化学沉积GaAs薄膜的实验和理论分析

通过物理和化学的理论分析及实验研究，阐述了从简单无机盐溶液中采用电化学方法在SnO2导电玻璃氏材料上沉积原子化学计量比接近1：1的GaAs薄膜过程中所受的各种工艺条件制约和影响因素，从而获得最佳的沉积工艺条件。该研究方法有助于用电化学方法沉积化合物半导体薄膜材料及薄膜性能改善，为规模化生产的工艺条件设计和薄膜的应用提供了理论根据。     

生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响

该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.     

在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜

该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件源温为900～930℃,衬底温度为500℃.     

电化学制备GaAs薄膜工艺及性能研究

在探讨电化学方法沉积GaAs薄膜的工艺原理、电化学动力学过程、电极反应本质及摸索电化学工艺条件对薄膜成分影响的经验规律的基础上，以SnO2导电玻璃作为阴极衬底材料，从简单盐水溶液中，按照确定的电共沉积的工艺条件成功地沉积了化学计量比趋近于1的GaAs薄膜。并对薄膜的性能进行了一些测定。实验结果表明采用电化学方法制备化合物半导体GaAs薄膜的可行性及薄膜性能质量改善提高的一些途径。为后续研究及最终获得可以利用的材料打下了基础。     

电化学沉积生长GaAs薄膜的工艺研究

研究了电化学沉积参数对电沉积GaAs薄膜中元素组分以及薄膜质量的影响,得出电化学沉积GaAs薄膜成分接近Ga1As1的最佳工艺条件:pH=1.2;浓度比c(Ga) / c(As)=14;电流密度J=0.006~0.008 A/cm2;阴极材料用SnO2导电玻璃,其SnO2厚度>1mm。并给出改善GaAs薄膜质量的途径,为生产高效、低成本的GaAs太阳能电池奠定基础。     

交叉波形吸热板—底板太阳能空气集热器热力学分析

本文在与相似结构的平板型空气集热器作对比模型的基础上，给出了交叉波形吸热板－底板太阳能空气集热器系统的热物理模型并进行了分析，对交叉波形流道的几何特性及换热经验公式进行了讨论。     

电化学沉积多晶GaAs薄膜研究

研究了电化学沉积GaAs薄膜的条件以及电化学沉积参数对GaAs薄膜成分的影响,并通过正交实验调节这些化学沉积参数,得到了化学计量接近1：1的GaAs薄膜以及电化学沉积GaAs薄膜的最佳参数范围,为获得实用的GaAs薄膜材料打下了基础。