用计算机处理实验数据得出a-Si光学带隙

近年来,对非晶硅a-Si薄膜进行了广泛研究。a-Si薄膜的光学带隙是判断材料性能优劣的一个关键参数。通常,光学带隙是由(αhω)~(1/2)—hω曲线求得的:先用分光光度计测出薄膜的透过率T(λ),然后算出α(λ),最后将各个波长的(αhω)~(1/2)与hω描点作图,将高吸收区域(α>10~4)的点子拟合成直线,此直线与hω轴的截距就是光学带隙。     

氮化硅抗反射膜MIS/IL型硅太阳电池

MIS/IL型太阳电池是Haler等人在1976年提出的,其结构如图1所示。这种电池问世以后发展很快,1980年Green等人报道了转换效率高达18.3％(AM1,28℃)的实验结果,但由于SiO抗反射膜等方面的原因,电池的稳定性欠佳。 1981年,Hezel报道了用氮化硅做抗反射膜的MIS/IL型太阳电池。根据半导体表面