光栅结构钙钛矿/晶硅叠层太阳电池光学特性模拟

作为新一代高效太阳电池,叠层太阳电池虽然效率较高,但仍存在不合理的结构设计,导致了较高的光损失。文章以具有光栅结构的钙钛矿/晶硅叠层太阳电池为模型,使用FDTD solutions软件分别对影响电池性能的子电池厚度、顶电池光栅尺寸以及中间层厚度等参数进行了模拟优化。模拟结果显示:合适的子电池厚度、光栅结构和中间层厚度,能最大化地提升叠层太阳电池的性能;其中,有光栅结构的叠层太阳电池的短路电流密度提升了20%。这一结果为进一步在实验室制备钙钛矿/晶硅叠层电池提供了参考。     

MgO掺杂对氧化锌线性陶瓷电阻的影响

利用固相烧结法制备出基础配方为ZnO-Al_2O_3-MgO-Fe_2O_3-TiO_2-SiO_2的ZnO线性陶瓷电阻。研究了MgO掺杂量对ZnO线性陶瓷电阻微观结构、阻抗、阻温特性和阻频特性的影响。结果表明:在MgO掺杂量为5%(质量分数)时,ZnO线性陶瓷电阻的综合性能最好,其晶粒尺寸较为均匀,相对密度最高,电阻率为256 647Ω·cm,非线性系数为1.03,阻温系数为-5.45×10~(–3)/℃。     

SiO2掺杂对ZnO–Pr6O11基压敏电阻性能的影响EI北大核心CSCD

研究了SiO2掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏电阻的微观结构、电性能的影响。结果表明:随着SiO2掺杂量的增加,压敏电压从137 V/mm增加到434 V/mm,后又减小到101 V/mm;当SiO2掺杂量为1.5%(摩尔分数)时,非线性系数(α)达到最大(31);当SiO2掺杂量为3.0%时,压敏电压达到最大,漏电流降到最小(1.1μA/cm^2)。当SiO2掺杂量为1.5%时,损耗角正切值达到最小值;当SiO2掺杂量为4.5%时,相对介电常数达到最大值。实验证实通过SiO2掺杂得到了非线性系数高和低损耗的压敏电阻。