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BiB_3O_6晶体946nm倍频蓝光输出 总被引:1,自引:1,他引:0
BiB3 O6(BIBO)是一种新型的非线性光学晶体 ,物化性能稳定 ,不潮解 ,光损伤阈值高。该晶体短波吸收边位于 2 70nm ,Ⅰ类相位匹配的deff 高于Ⅱ类 ,达到 3 2pm V ,优于KTP。以上性质表明 ,利用该晶体可望制作高效的频率变换器件 ,产生可见及近紫外光。BIBO晶体沿 (16 1 7° ,90°)的Ⅰ类相位匹配方向加工 ,使用单次通过 (SinglePass)方法在钛宝石可调谐激光器上进行 94 6nm倍频实验。晶体长度 5mm ,两端镀 94 6nm ,4 73nm双增透膜。光源为相干公司生产的Mira90 0型钛宝石自锁模激光器 ,脉宽2 0 0fs ,重复频率 76MHz ,输出波长固定于 … 相似文献
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根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体。根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的影响最大。实际生长光学应用的LGS晶体过程中,La2O3纯度为5N(或6N),而SiO2为6N。起始组分配比应选共熔点处的配比,即x(La2O3)=30.00%,x(Ga2O3)=50.65%,x(SiO2)=19.35%。考虑到生长过程中Ga2O3的挥发,Ga2O3应适当过量,n(Ga)/n(Si)范围为5.20~5.30。晶体提出量与起始组分有关,晶体提出量以50%~60%为宜。 相似文献
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BiB3O6(BIBO) single crystals with size of 46×23×10 mm3 and weight of 26.0 g have been successfully grown by top-seeded method. Problems encountered in the growth process of this crystal have been discussed in detail, and the methods of growing high-quality large crystals have been put forward. The relationship between their structure and properties is studied. The space group of monoclinic BiB3O6 is C2 and the cell parameters are a = 7.1203(7)(?), b = 4.9948(7)(?), c = 6.5077(7) (?), β= 105.586(8)", and V = 222.93(5)(?)3. The density of BIBO is4.8965 g/cm3. The Mohs's scale of hardness is 5.5-6. There is no cleavage face in the crystal. The transmittance of BIBO is about 80 percent in the range from visible coherent light to near-infrared light. The ultraviolet cutoff wavelength is at 276 nm. BiB3O6 is a biaxial crystal and has two sets of axes, and the relative orientation of ( X, Y, Z) with regard to (a, b, c) is: X//b, ( Y, c) =47.2°, (Z, a) = 31.6°, determined by X-ray analysis combined with pol 相似文献
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为了研究复叠式高温热泵系统各部件火用损分布特性及其产生的原因以指明系统优化方向,通过搭建实验台,实现了90 ℃的大温差升温(30~120 ℃)。基于实验数据,分别采用常规火用分析和先进〖HT5”,7〗火用分析(advanced exergy analysis)方法对复叠式热泵系统进行分析。结果显示:高温压缩机和低温压缩机的火用损失最大,系统的内源火用损失占总火用损失的93.73%,可避免火用损失占总火用损失的70.79%,表明火用损失主要来自于部件本身,且部件的改进潜力很大;高温压缩机、低温压缩机和高温冷凝器的内源可避免火用损失最大,在系统优化时应当优先考虑这些部件,可减少系统51.04%的火用损失。 相似文献
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利用同步辐射白光形貌术和透射电子显微镜,对BiB3O6晶体的缺陷进行研究.靠近籽晶部位,可以观察到包藏、位错和生长扇面边界,而远离籽晶的位置,没有发现任何微观的缺陷.通过实验观察,孪晶和生长扇面边界可能是导致晶体中褐色区域的形成原因.提出了消除缺陷的方法. 相似文献