电液伺服阀的PLC控制

本文重点介绍了电液伺服阀的PLC控制方法、控制系统组成及其驱动接口电路,由可编程控制器产生控制脉冲,通过改变PLC程序中的参数,来改变脉冲的个数及频率,从而实现PLC对液压伺服阀的准确控制。     

孔系组合夹具系统中装夹稳定性的校验

当用CAD软件系统设计组合夹具时,通过对夹紧力和定位支承反作用力之间的平衡作出评估,即可判定系统的定位可靠性.     

PLC对数控液压伺服阀的开环控制

采用可编程控制器（PLC）直接控制液压伺服阀，可以简化控制系统，降低成本。文章主要介绍PLC对液压伺服阀的控制方法及控制系统的组成，说明驱动接口电路的连接。     

松散卵石层高压旋喷中的PVC管护壁问题

为了防止在松散卵石层中高压旋喷前孔壁塌落 ,采取了特殊材料PVC管护壁。施工证明 ,PVC管被击成碎片 ,很少消耗喷射能量 ,且其碎片不阻挡水泥浆喷射     

退火温度对铜铟镓硒薄膜电学性能的影响

使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2,CIGS)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜,在240-550℃对预制膜进行退火处理,着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率)的影响。结果表明:退火温度低于270℃时薄膜中存在CuSe低电阻相,CIGS薄膜的载流子浓度在1017-1019cm-3,迁移率在0.1 cm2·V-1·s-1左右,不适于作为太阳电池的吸收层;当退火温度高于410℃时薄膜中不存在CuSe相,薄膜具有10 cm2·V-1·s-1左右的较高迁移率,载流子浓度在1014-1017cm-3;退火温度高于410℃时,随着退火温度的升高薄膜晶粒长大,结晶性增强,此时薄膜内部缺陷减少,载流子浓度升高;对于用作太阳电池吸收层的CIGS,从载流子浓度及迁移率的角度评判,合适的退火温度区间为450-550℃。     

基于CAFD的定位参考面建模及误差分析

提出在计算机辅助夹具设计中定位参考面的建模方法．并在此基础上分析了定位件位置误差对工件几何精度的影响．为校验和改进夹具设计提供了依据。     

智能制造系统的现状与展望

通过将智能制造系统与人工智能计算机集成制造技术的比较，阐述了IMS的特征、关键技术和当前的研究热点，并指出了IMS的未来发展趋势。     

无硒气氛退火下掺入Sb2S3提高CIGS薄膜晶粒尺寸的研究

将一薄层Sb_2S_3置于Cu(InGa)Se_2(CIGS)薄膜与Mo薄膜之间,于不含硒源的惰性气氛中退火,发现随Sb_2S_3厚度的增加,CIGS薄膜的晶粒尺寸显著增大,薄膜的择优生长面由(112)晶面向(220/204)晶面转变。为阐明晶粒的生长机理,研究退火温度对Sb_2S_3掺杂的CIGS薄膜的晶粒尺寸和物相的影响规律,发现薄膜在450～500℃之间晶粒尺寸增大显著。在实验结果的基础上提出一种气相促进晶粒生长的模型和液相促进晶粒生长的模型。