AlSb晶体内二维磁极化子的磁场与温度效应

在考虑声子之间相互作用的同时，本文应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子特性的影响。对AlSb晶体所作的数值计算结果表明，随着磁场的加强，磁极化子平均数减少；随着温度的增加，磁极化子平均数也增加；随着温度的增加，电子自旋作用以及声子之间相互作用都加强；随着磁场的加强，电子自旋作用增加而声子之间相互作用基本不变。     

接触式纱线张力传感器动态测量模型

纱线变化张力的准确测量和有效控制对纺织品质量有重要影响。基于霍尔效应的接触式张力传感器通过霍尔元件检测由纱线张力引起的悬臂梁挠度,进而获得纱线张力。但是随着张力变化频率的增高,因悬臂梁机械振动所造成的系统张力误差也随之增大。为此,本文对接触式张力传感器检测单元建立动力学模型,并在此基础上分析振动对张力信号检测的误差影响,进而提出动态张力测量模型以及相应的振动误差抑制算法。通过建立张力测试实验台,对不同条件下的测试结果进行了振动误差抑制前后的张力信号对比研究。结果表明基于动态张力辨识测量模型的误差抑制算法能够有效地消除振动所产生张力检测误差。该项研究为动态条件下的接触式张力传感器运用提供了理论参考。     

GaSb半导体表面极化子基态能量的研究

采用Ｌ．Ｌ．Ｐ方法导出表面极化子的基态能量,声子平均数,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对ＧａＳｂ半导体表面中表面极化子基态能量的影响。数值计算结果表明：当动量趋于零时,声子之间的相互作用对极化子性质无影响;当动量达到某一值时,声子之间相互作用的能量占极化子总能量中非常显著的部分;随着动量（平方）的增加,声子平均数近似线性地增加。     

自旋对SiC半导体二维磁极化子基态能量的影响

应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SiC半导体性质的影响。基态能量E0^＋（对应于电子自旋量子数为正）和E0^-（对应于电子自旋量子数为负）都随磁场增加而线性减少：在0T时，E0^＋和E0^-都为-76．24meV；在25T时，E0^＋和E0^-分别为-68．50meV和71．39meV。自旋能量与E0^＋和E0^-之比P0^＋和P0^-都随磁场增加而快速增加：在0T时，P0^＋和P0^-都为0；在20T时，P0^＋为0．627；在25T时，P0^-为0．453。自旋能量与Landau基态能量之比P2始终为0．23。自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加：在0T时，P1和P3都为0；在5T时，P3为0．628；在40T时，P1为0．306。这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。     

SiC半导体二维自旋磁极化子能量的磁场效应

在考虑声子之间相互作用和电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC半导体弱耦合二维自旋磁极化子能量磁场效应的影响。数值计算给出了下列结果:电子自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加其分裂间距增大;电子自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比恒为0.23;电子自旋能量与自能之比小于电子自旋能量与自陷能之比,但非常接近,它们随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,它们分别为0和0.008;电子自旋能量与声子之间相互作用能量之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分别为0和1。该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。     

川恒化工半水湿法磷酸装置生产技术概要

为解决现有二水湿法磷酸存在的磷酸浓度低、蒸汽消耗高、硫酸消耗高、流程长、投资大、后端产品品质低、二水磷石膏难利用等缺点,结合国内外半水法磷酸技术,采用自主知识产权进行半水湿法磷酸的研发、中试及国产大型化,经过近3年的装置运行及优化,证明所采用的技术路线及生产装备具有良好的经济效益,从而成功实现半水湿法磷酸装置国产大型化,在现有的湿法磷酸生产领域具有良好的示范作用。     

自旋对半导体量子点中强耦合磁极化子性质的影响

在考虑电子自旋的情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了半导体量子点中强耦合磁极化子振动频率、基态能和基态结合能的性质.数值计算结果表明:电子自旋使磁极化子基态结合能分裂为二Eb(1/2)和Eb(-1/2),其间距与外磁场B成线性关系.当回旋共振频率小于和大于10倍声子振动频率时,Eb(1/2)随B的增大分别缓慢和迅速减小.当回旋共振频率小于和大于20倍声子振动频率时,Eb(-1/2)随B的增大分别迅速和缓慢增大.当回旋共振频率为440倍声子振动频率时,Eb(-1/2)取最大值为44倍声子能量.之后Eb(-1/2)随B的增大逐渐减小.随着磁场的加强,电子自旋影响增大.当回旋共振频率超过声子振动频率的5.97和820倍时,电子自旋能量已分别大于电子所受束缚势和电子与LO声手之间的诱生势.     

自旋对晶体内强耦合磁极化子基态能量和有效质量的影响

本文采用线性组合算符法研究极性晶体内强耦合磁极化子的特性,讨论了电子自旋对极性晶体内强耦合极化子基态能量和有效质量的影响。对ＣｓＩ晶体所作的数值计算结果表明,电子自旋取不同方向时,强耦有化子的基态能量随磁场的增加而增加或减少,电子自旋对强耦合磁极化子基态能量的影响随磁场的增加而增大。