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通过引入一对随电源、电压变化的实正则变量x=u/w,p=I/w,对无耗散介观含源LC电路体系进行一量子化处理,研究了体系处在任一本征态时电流、电压的量子涨落,得到体系处理在任一本征态时,电流、电压的量子涨落只与体系所处状态、线圈的自感系数、电容器的电容等有关,与电源的电动势无关;当电流(电压)的量子涨落增大时,电压(电流)的涨落会减小,在设计微小电路时,应通过使体系免受频率为w的电路或电波作用以降低噪声的影响。 相似文献
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许迈昌 《纺织高校基础科学学报》1995,8(3):287-291
运用角动量的耦合玻色表示,对角动量分量Jx,Jy,Jz进行了求迹研究,在一定条件下得到一些新的关系式。 相似文献
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将依赖强度耦合J-C模型推广到依赖经度耦合双光子J-C模型,研究了依赖强度耦合双光子J-C模型场熵演化的动力学特性。 相似文献
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介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺。通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。 相似文献
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