平行坐标技术在干式变压器温度场可视化分析中的应用

本文中笔者将平行坐标技术应用于变压器温度场多维可视化分析,以矿用变压器为例,给出了其高、低压绕组纵向温度分布.     

专家坐堂

正Q忻老师,您好!我买了台索尼α6300型微单相机,我手里有只以前用的单触点低压触发闪光灯,可分档设定输出光量,我想把它装在索尼α6300型机顶的热靴插座上用,但索尼这插座前端有很多铜质信息触条,我怕这单触点闪光灯的热靴插脚会把这些细铜条顶变形了影响使用功能。不知这索尼相机的闪光灯热靴插座能否安全的使用单触点的闪光灯?谢谢!A索尼的微单和35mm全画幅无反相机顶部的闪光灯热靴插座本身是个多功能的附件插座,理论上来说单触点的低压触发闪光灯是可以安装上使用的,我就把一只3.5V触发电压的     

黄河口水下三角洲冬季床面变化初步观测研究

黄河携带大量泥沙入海,底床沉积物在波、潮、流等水动力条件作用下会不断地发生再悬浮与输运,形成黄河三角洲海底面的动态变化过程。利用自主研发的电阻率探杆三脚架,观测了水动力作用下海床面的侵蚀与淤积过程。研究结果显示,研究区涨落潮过程中海水浊度的变化主要受波高的影响,近底床位置海水浊度的变化趋势是涨潮过程中海水浊度上升,落潮过程中海水浊度降低。侵蚀或淤积是海床面泥沙的再悬浮与悬沙沉降共同作用的结果。研究区冬季的海床面变化以侵蚀为主,当沉降作用强于侵蚀淤积作用时,即使海床所受切应力大于沉积物临界切应力,海床仍发生淤积。     

不同制样方法对直流辉光放电质谱法测定氮化硼中27种杂质元素的影响

讨论了3种制样方法对直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)检测氮化硼中的Na、Mg、Al、Si等27种杂质元素的影响。3种制样方法分别如下所示:方法1,直接把氮化硼压在铟薄片上;方法2,把氮化硼压在铟薄片上后,再盖上一层铟罩;方法3,把压碎后的氮化硼放在针状钽勺上。在优化的辉光放电参数下对比了3种不同制样方法对基体信号强度的影响。试验表明:在方法1中,当氮化硼尺寸约为3mm×3mm,厚度小于1mm时,基体¹¹B的信号可达1.8×10⁷ cps;在方法2中,选择铟孔大小合适的铟罩,基体¹¹B的信号可达1.0×10⁷ cps;方法3获得基体信号强度比方法1、方法2高一个数量级。大部分元素在中分辨率下可获得较好的结果,而对于在高分辨率下也较难分离的元素,可选择丰度较低的同位素在中分辨率下进行测定,如Ge选择⁷⁰Ge⁺,Se选择⁸²Se⁺,Cd选择¹¹¹Cd⁺,Sn选择¹¹⁹Sn⁺,Ag选择¹⁰⁹Ag⁺,Pt选择¹⁹⁴Pt⁺。氮化硼中的杂质元素含量可通过样品片中待测元素含量减去来自于铟薄片或钽勺中该元素贡献的含量来计算获得。将样品平行测定5次,相对标准偏差均在20%以内。对于Al、Si、Ti等元素的测定,3种制样方法的测定结果基本一致;方法1、方法2中检测到的In含量较大,使得铟中的Ni、Cu对氮化硼的测定值影响较大;方法3由于钽中Fe、Cu的贡献导致氮化硼中Fe、Cu的检测值较大,但方法3获得的基体信号强度大,可降低部分元素的检出限,如Cr、Mn、Ga、Ge等。综上所述,方法3为优选方法。     

石墨烯热电器件栅控特性研究

为了获得一种稳定可控的能源，提出一种栅控石墨烯热电器件。通过对石墨烯通道的载流子输运机理的分析，获得了温度和栅压对通道电阻的影响。依据半经典Mott公式推导了石墨烯塞贝克系数的表达式，同时给出了石墨烯的电导率和热导率模型。最后通过有限元分析(FEA)建模获得不同栅压条件下的器件温度，当栅极电压V_B=0 V时，石墨烯热电器件热端和冷端温度差为30 K；当V_B=6 V时，最大温差达到50 K；当V_B=30 V时，最小温差只有10 K。结果表明，栅压对热电器件的性能有明显的调控性。该研究可为石墨烯热电器件的设计提供理论参考。     

基于对比折射法的三维静校正技术及其应用

在地形起伏剧烈、速度和厚度横向变化大的地区，折射静校正技术的应用受到诸多限制，主要表现在不能准确地识别和拾取来自于地下连续地质界面的折射波，使得精确求取的长波长静校正量困难。为此，提出了一种基于对比折射法的三维静校正技术。介绍了这种静校正技术的方法原理和特点，基于对比折射法的折射波至拾取实质上是一个折射层的对比分析解释过程，因此能准确地拾取折射波至，精确地求解低速带的绝对延迟时；然后利用延迟时和近地表速度模型（等效，时深，空变）反演表层模型，最终一次性完成基准面静校正（包含低速带校正和高程校正）。在黄土塬、沙漠以及沙漠和山地的接合部等地区，利用基于对比折射法的三维静校正技术进行静校正处理，使资料的品质得到了明显改善，反射同相轴连续性好，信噪比和分辨率高，构造形态清晰可靠，提高了勘探精度。     

怎样选择合适的数据转换系统放大器

主要介绍了数据转换系统选择放大器时应注意的几个问题，并就选择放大器的重要性作了详细探讨。     

6σ设计水平的评价

在介绍6σ设计概念和目标的基础上，给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线，并开发了计算机模块，能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值，也可以根据实际的DPMO值，自动评价达到的设计水平。