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作为典型的二维层状半导体材料,MoS2及其异质结构在后摩尔时代的电子学和光电子学领域具有广阔的应用前景。以MoO3为前驱体,利用化学气相沉积法(CVD)先制备了MoO2纳米片,随后使用硫蒸气对其进行硫化合成了含2~4层MoS2的MoS2/MoO2的共形异质结构。通过X射线光电子能谱(XPS)和Raman光谱对MoS2/MoO2共形异质结构进行表征,确定了MoS2的层数随硫化时间的变化关系,即随着硫化时间的延长,MoS2层数逐渐增加。利用原子力显微镜(AFM)对异质结构的厚度表征结果发现,硫化后纳米片厚度有所减薄,并且随着硫化时间的增加,MoO2纳米片硫化前后的厚度差呈现出反常的先下降后上升的趋势。最后通过高分辨环形暗场扫描透射电子显微镜(ADF-STEM)对MoS2/MoO2共形异质结构截面进行表征,并揭... 相似文献
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铜纳米薄膜在微电子器件中应用广泛。然而,纳米尺度的铜表面极易发生氧化,影响铜纳米薄膜的电学性能。利用物理气相沉积方法制备了铜纳米薄膜,研究了基底粗糙度对铜纳米薄膜电学性能退化的影响,发现基底粗糙度越大,铜的电学性能退化越快。通过在铜纳米薄膜的表面蒸镀铝纳米薄膜对铜纳米薄膜进行防护,研究了铝纳米薄膜厚度对其在不同环境下防护效果的影响,结果显示铝膜厚度越大,对铜纳米薄膜的防护效果越好。通过高温破坏测试,发现铝纳米薄膜能有效地提高铜纳米薄膜的极限工作温度,当铝纳米薄膜厚度为10 nm时,可将铜纳米薄膜的极限工作温度提高2.5倍。 相似文献
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磨机新配件─—布基酚醛改性塑料瓦吴宏荣四川内江市中区中川机械配件厂驻昆办事处长期以来,球磨机王轴瓦均使用巴氏合金瓦,制造质量好的巴氏合金瓦使用寿命较长、但价格昂贵,更换耗用时间长,质量稍差的轴瓦时有龟裂现象或瓦片剥离被迫更换。80年代初国内已有部分厂... 相似文献
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