垂直磁化膜微畴结构的SEM观察

本文研究了用扫描电子显微镜(SEM)观察垂直磁化膜微畴结构的方法和观察结果。该方法的步骤是在试样表面制作高质量的干粉纹图,然后用高倍率二次电子象进行观察。由于SEM中的二次电子象具有景深大、分辨率高的特点,这项技术可用来研究磁畴的精细结构特征及其在磁化过程中的变化。     

NTD硅单晶的扫描电子显微镜研究

中子嬗变掺杂(NTD)硅单晶具有轴向和径向电阻率均匀、掺杂目标电阻率精确及无微电阻率结构等重要特点,用这种材料制得的高压整流元件具有雪崩特性好、电压分散小、等级合格率高和过载能力强等电学特性。本文用扫描电子显微镜的束感应电流(EBIC)象和吸收电流象(AEI)分别观察了NTD硅单晶和区熔硅单晶高压整流元件PN结的平整度、结深、耗尽区内的缺陷特征及其分布和少子扩散长度的变化,从而直观地显示出它们的电学特点。     

SmCo非晶垂直磁化膜的TEM研究

由轻稀土Sm和3d过渡族金属Co组成的SmCo非晶垂直磁化膜具有独特的磁、磁光和磁电性能,是制作高密度存贮器件和薄膜传感器的一种很有前途的材料。本文用透射电子显微镜(TEM)研究了用双源共蒸发法制备的SmCo非晶磁化膜的显微结构特征及其与成份、温度的依赖关系。讨论了非晶态SmCo磁化膜的形成过程及其结构对磁光特性的影响。实验结果表明:1.SmCo非晶磁化膜的典型结构是由直径约30A的高密度柱状区和一个低密度的网络组成的,如图1所示,图中右上角的电子衍射插图表明该结构是典型的非晶态。2.Sm_xCo_(100-x)(15相似文献   

人工冻融海相黏土微观孔隙特征试验研究

针对海相黏土的强结构性,结合微观孔隙特点,定量分析了压汞试验海相黏土冻融及压缩前后进汞压力与进汞增量的变化关系,获得了4种工况下的土体孔径、孔表面积的定量变化规律。结果表明,原状软黏土经冻融、压缩作用后孔隙分布发生改变,各类孔隙在数量分布上也发生改变,部分较大的孔隙破裂分解成中小孔隙,或部分小孔隙连通成狭长的中大孔隙,孔隙变化情况复杂;同冷端温度条件下冻融及压缩后,孔径-对数进汞增量曲线对应峰值处,最大进汞增量及对应孔径差异较大;对于冻融后的压缩土,在外荷载作用下,峰值处对应的最大进汞增量均降低约50%,孔径与进汞压力为负对应关系。     

铁电半导瓷的电畴和晶界的成象

本文描述用扫描电子显微镜的束感应电流模使正温度系数陶瓷铁电畴和晶界成象的实验.讨论了观察到的衬度的形成机理以及这些观察同以前发表的涉及电畴与晶界位垒相互作用的假说的联系.     

SmCo磁性薄膜的电子显微术研究

本文用透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了用双源共同蒸发法制备的SmCo磁性薄膜的显微结构特征及其与成份、温度的关系。讨论了非晶态SmCo薄膜的形成过程以及显微结构对薄膜磁光特性的影响。     

垂直磁化膜微畴结构的SEM观察

随着微磁学的高密度磁存贮技术的迅速发展,人们迫切需要以更高的分辨率观察大块试样表面的微畴结构。通常使用的粉纹图法和磁光法等观察方法已不能满足要求。本文研究了用SEM观察垂直磁化膜微畴结构的方法和观察结果,获得了满意的效果。该法主要分两部分:1.在试样表面制作高质量的粉纹图;2.用高倍率二次电子象观察试样表面磁性粒子的分布,从而可显示出磁畴的精细结构和磁化方向。图1是YIG单品垂直磁化膜在退磁态的磁畴结构象。图中磁性粒子的聚集图案清楚地显示出该薄膜具有片状“迷宫畴”结构,畴宽约1.9μm,饱和磁化失量Ms垂直于膜面,+Ms和-Ms呈周期分布。图2是TbFeCo非晶垂直磁化膜退磁后的磁畴结构象。磁性粒子在畴壁表面漏磁场的作用下聚集在畴     

红粘土渗透特性温度效应试验研究

采用TST-55型渗透仪和自行研制的加热装置,系统研究了南昌地区典型红粘土在27、50、65、80℃和95℃等5种温度下的渗透特性。结果表明,红粘土渗透性随着温度的上升而增大,且温度效应受试样干密度和含水率的影响;渗透系数随着初始干密度的增大呈下降趋势,且下降幅度逐步收窄;温度效应在低密度情况下非常显著,干密度增大后温度效应不再明显;不同温度下存在一个初始含水率阈值与最大渗透系数相对应,且温度越高渗透系数越大;与初始含水率相比,初始干密度对渗透系数的影响更为显著。     

扫描电子显微镜中吸收电流像的应用

扫描电镜(SEM)具有多种成像模式,二次电子像和背散射电子像是最常用的模式。这两种像的衬度均与试样—检测器的几何位置有关,具有不同程度的阴影效应。吸收电流像与试样—检测器的几何位置无关,无阴影效应。对均匀的电惰性材料,吸收电流像与发射电流像(二次电子像和背散射电子像)的衬度互补。对半导体和磁性材料,没有这种互补关系。本文根据吸收电流像的特点,对均匀电惰性材料用吸收电流信号作为附加模式,用两次曝光技术对二次电子像中不易得到的形貌细节补偿,获得了清晰的图像。图1—4是对黄铜试样垫上的激光孔补偿前后的对比。我们还用吸收电流像观察了多相合金表面成份分布和半导体材料中的势垒电子伏特效应。实验结果表明吸收电流像主要有以下几种应用:     

NTD硅单晶高压整流元件的扫描电镜分析

中子嬗变掺杂(NTD)硅单晶具有轴向和径向电阻率均匀等重要特点,用这种材料制得的高压整流元件具有雪崩特性好、电压分散小、等级合格率高和过载能力强等电学特性。本文用扫描电镜的EBIC像和吸收电流像分别观察了NTD硅单晶和区熔硅单晶高压整流元件PN结的平整度、结深和耗尽区内的缺陷分布,从而显示它们的电学特点。具有PN结结构的硅片是用(111)N型NTD硅单晶和(111)N型区熔硅单晶按常规工艺制成的,其电阻率分别为224～235Ω·cm和230～300Ω·cm,用显色法测得结深为135～145μm。随机抽取两种硅片切割成4×6mm~2的样品,两面镀镍作电极并将露出PN结的横截面以相同的工艺研磨、抛光、清洗和干燥后放入电镜中观察。图1和图2分别是NTD硅单晶和区熔硅单晶PN结的EBIC像,它表明NTD硅单晶的PN结平坦;区熔硅单晶