S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能

对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。     

基于P2P和网格技术的E-Learning系统的研究与实现

针对当前E-Learning系统在动态知识交流和规模化问题上的不足，本文提出了一个基于P2P和网格技术的E-Learning系统APPLE。该系统给用户提供了一个低成本高效率的E-Learning教学环境。APPLE利用P2P转发技术提供低成本的实时广播来共享实时课堂，通过WSRF．NET来创建虚拟教室服务，并对网络上的学习资源进行整合，提供给用户一个全局的资源视图。     

单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器

<正>为了满足我国电视卫星低噪声接收的需要,使单片低噪声FET放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器的研究,最近取得了较大的进展.研制的单级单片低噪声FET放大器,芯片尺寸为1×1.2mm,在10.5～12.4GHz带宽内测试,噪声系数为3～3.5dB,相关增益为6.0dB.     

径向微带线元件的计算方法

本文给出了设计径向微带线元件的一种工程计算方法.在微波集成电路中,用径向微带线元件组成的偏置电路工作带宽较宽,占用的衬底面积较小.     

窄间隙埋弧焊成套设备配置方案研究

对窄间隙埋弧焊成套设备的组成及工作原理进行分析、论证,确定最佳配置方案,在保证设备使用性能前提下,降低企业成本。     

全离子注入C波段功率单片放大器及内匹配功率单片放大器

报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率40％，可靠性高。工作频率4．7—5．2GHZ，中心频率5．0GHz处输出功率2．5W，增益15dB，功率附加效率31．5％。单片放大器芯片面积2．8mm×2．0mm，四路合成的4×MMIC频率范围不变，中心频率4．95GHz处输出功率8．2W，增益13dB，功率附加效率26％，四路合成效率接近80％。实验结果与理论预测基本吻合。     

砷化镓单片微波集成电路工艺述评

本文讨论了砷化镓单片微波集成电路的优缺点、工艺特点、应用领域和今后展望.     

六路四组分气体循环检测控制系统

本文设计了一种循环检测控制系统,通过PLC系统控制防爆电磁阀循环动作,实现对不同监测点的气体成分检测,并通过触摸屏显示各个检测管路工作状态和气体成分含量。     

压力容器简体内壁环形凸台堆焊方法的改进

0 前言 在大型锻焊加氢反应器设备中，因结构设计的需要，多数需要在筒体内壁堆焊环形凸台，而且绝大部分为一个筒体有2个环形凸台或有3～4个凸台的情况。堆焊此种环形凸台，常规方法是使用一台堆焊设备，对1个环形凸台单独堆焊，在堆焊过程中要利用丙烷气体进行火焰加热，确保筒体温度不低于150℃，由于堆焊周期较长，因此需要大量的丙烷气体。     

单片X波段GaAs MESFET振荡器

本文介绍了单片X波段GaAs MESFET振荡器的研究结果,阐明了计算GaAs MES FET三端口S参数以及用此参数设计单片振荡器的方法,给出了单片振荡器的制造技术及测试结果;10.3GHz时输出30mW;8.2GHz时输出40mW,效率15％。