P型和N型金刚石薄膜研究进展

金刚石薄膜有着高的热导率,高的介质击穿场强,高的载流子迁移率以及宽的禁带等优点,是非常理想的功能材料。掺杂使金刚石薄膜具有独特的电学和热学性能,使其在半导体领域具有广阔的应用前景,近年来成为国内外研究的热点之一。综述了金刚石薄膜P型掺杂和N型掺杂的研究现状,对金刚石薄膜N型掺杂研究中存在的问题进行了分析和探索,并对N型金刚石的前景进行了展望。     

二维浅水方程的非结构网格数值解

用Lax-W endroff格式和Lax-Friedrichs格式交替使用形成的复合型格式,对二维浅水方程在非结构网格上进行离散,利用不同格式之间数值耗散、数值色散而相互补偿和抵消的复合作用,消除数值计算中出现的非物理振荡和过度光滑现象.利用本文算法对斜水跃问题、二维矩形部分溃坝模型和二维圆形全溃模型模拟的结果表明,该算法具有较高的涌波捕捉能力,适合处理边界面复杂的浅水流动问题.     

深圳荔枝湖工艺处理单元水污染治理效果研究

采用含内源污染的平面二维总磷输移模型,计算和分析了深圳市荔枝湖水污染治理工程中湖水大循环、曝气过滤、砾石床接触氧化、人工湿地、阿科曼生态基等五种不同水处理单元组合的六种工艺对荔枝湖水污染治理效果。结果表明不同水处理单元对荔枝湖雨水污染治理效果的大小为：湖水大循环〉曝气过滤〉砾石床接触氧化〉人工湿地〉阿科曼生态基。     

钱塘江涌潮影响因素分析

应用二维浅水方程有限体积模型计算模拟钱塘江潮波在不同风况、上游径流、河床高程等条件下变化过程。计算结果显示：持续稳定10m/s的东风、东北风、东南风作用下钱塘江沿程测站呈＂W＂型增水过程,西风、西北风、西南风作用下沿程测站呈＂M＂型减水过程,七堡最大增/减水幅度大于2.2m/-2.1m;丰枯地形条件下,七堡站高潮位变化不大,但枯水地形低潮位抬高1.22m,相应潮差减小1.28m,和丰水地形比较,减小70%;上游大流量（2000m3/s）时,七堡站高、低潮位分别抬升了0.45m和0.89m,潮差减少0.44m。     

含内源污染平面二维水流-水质耦合模型

本文从紊动扩散理论出发根据浅水湖泊紊流扰动特性，推导出包含底泥污染的水质控制方程，并与浅水方程耦合，建立相应的平面二维水流-水质-底泥污染的数值模型。模型在有限体积法框架下应用黎曼近似解求得耦合方程的数值解。并以玄武湖为例进行模型验证。结果表明，数值解与实测值较吻合，证明预测结果可信。     

玄武湖混合流数值模拟研究

本文从二维浅水非恒定流的控制方程组出发,建立了玄武湖混合流水动力数值模式,应用伽辽金（Galerkin）有限元法对数学模型求解。对玄武湖出入流2m^3／s流量及5．7m／s均匀定常东北风进行数值模拟验证基础上,研究了出入流2m^3／s流量及6m／s均匀定常东风、西风、南风、北风、东南风、西北风六种风情组合作用下的玄武湖混合流特性。结果表明：玄武湖混合流流场受到吞吐流作用影响较弱,受到风作用影响较强,混合流流态表现为湖区若干环流和沿岸流的有机结合;沿岸流流向与风向一致,湖中较深的地方形成逆风流动的补偿流,流向与风向相反;玄武湖混合流场的形态由风向决定,不同方位风场作用形成的稳定混合流流态不同;对峙方向风场形成的混合流流型相似,流向相反。     

城市湖泊暴雨过程中蓄洪能力研究

结合雨水管网箱涵溢流公式,建立二维浅水方程洪水演进模型,模拟城市浅水湖泊在暴雨条件下城市湖泊蓄洪排洪效果.通过深圳荔枝湖两场实测暴雨验证,计算结果和实测资料吻合较好.并计算设计暴雨强度50mm/h情况下,有56961.5m3水体,即45%的降雨径流通过箱涵进入湖内,这大大削减排水管网中洪峰负荷,使街道暴雨径流尽快排出,将暴雨灾害减小到最小.     

基于SW型向量分裂格式的钱塘江涌潮模拟

在有限体积法的框架下采用无结构网格,应用Steger-warming型的向量分裂格式求解黎曼初值问题的外法向数值通量,通过设置临界水深选取涨落潮期间曼宁系数模拟了钱塘江湖波的整体变形,并比较了沿程测点潮位数值计算与实测值.结果表明,该法可行、精度高、稳定性好,能较好地复演钱塘江潮位暴涨过程及涌潮的宏观特性.     

重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性

系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明：在真空环境下经过800℃退火后Al电极可呈现出欧姆接触行为,其比接触电阻率为1.98×10^-3Ω·cm²,退火处理后Al电极与SiC在接触界面形成化合物Al₄C₃,有助于提高接触界面稳定性。在Ni/Al复合体系中,当Ni金属层厚度为50 nm时,其比接触电阻率显著降低至4.013×10^-4Ω·cm²。退火后Ni与SiC在接触界面生成的Ni₂Si有利于欧姆接触的形成和降低比接触电阻率。研究结果可为开发液相法生长的p型SiC晶片电子器件提供参考。