胶结型水合物对黏土质沉积物力学特性影响规律

研究低有效应力状态下胶结型水合物对黏土质沉积物力学特性的影响规律,可以为预测我国南海浅层天然气水合物开采风险和保证储层安全提供理论支持。为此,基于水合物三轴试验平台,制备了不同饱和度的胶结型水合物,开展了固结排水剪切试验,研究了低有效围压状态下含胶结型水合物黏土质沉积物强度和变形特性。研究结果表明：(1)胶结型水合物的存在会降低黏土质沉积物的初始固结程度,并有效提高其弹性模量和破坏强度,在低有效围压状态下沉积物的黏聚力与内摩擦角均会有不同幅度的增长;(2)含高饱和度水合物沉积物初始表现为较明显的剪胀现象,而随着有效围压升高,所有含水合物沉积物均表现为持续剪缩现象;(3)含水合物黏土质沉积物剪切变形主要受初始固结程度、水合物胶结作用和有效应力共同影响。结论认为,水合物开采过程中胶结弱化导致的强度损失和水合物相变导致的固结变形是黏土质储层面临的重要风险之一。     

基于回归模型的城市长期水量预测

基于对上海市的历史水量数据和上海市历年人口数据的分析,建立了城市年需水量模型和峰值需水量模型,达到了很高的精度。对于缓解上海水资源矛盾,有计划地指导水资源开发利用具有重要意义。     

基于VFFRLS参数辨识的蓄电池三维电热耦合模型

随着锂离子电池在现代生产中广泛应用,为了精确分析锂电池放电过程中三维温度场分布与电压特性,基于二阶RC等效电路模型,利用可变遗忘因子递推最小二乘法(VFFRLS)对锂离子蓄电池参数进行在线辨识和实时修正,结果表明仿真电压数据与实测电压数据最大误差为0.086 2 V,最大相对误差为2.53%,具有较高辨识精度。并将参数辨识结果传递到COMSOL中进行三维电热耦合模型仿真实验,实验表明不同放电倍率下圆柱形锂离子电池内部中心温度高于外部温度,外表面及上下底面温度略低,正负极柱温度最低。     

合理适度开发利用城市地下空间

在论述开发利用城市地下空间的必要性和可行性及存在的问题的基础上，提出了要辨证地看待目前城市地下窨的开发利用，以人为本，着眼未来，有计划、分层次、分步骤且合理适度地综合立体开发利用城市地下空间。     

TASE.2在工业控制实时系统中的应用

本文主要介绍了TASE．2协议的一些基本概念，TASE．2协议的体系结构，以及TASE．2协议在工业控制实时系统中的应用。     

从“2．1l”事故浅谈重合闸方式

通过“2．11”事故，阐述了重合闸方式对保障电力系统安全稳定运行的重要作用，结合广西电网现状，提出了重合闸方式的配置方案。     

充油电缆纸绝缘老化中局部放电特性的研究

为开发高压充油设备局部放电在线监测系统及诊断油纸绝缘老化状态。根据充油电缆油纸绝缘结构特性,制定了电老化和热老化试验方案以了解局部放电时间分布参量、相位分布参量以及统计分布参量—Sk、Ku随老化时间的变化关系,从而确定油纸绝缘的老化状态。研究发现随着老化时间的增加,最大放电量和平均放电量均显著增加,起始放电脉冲的相位越来越接近0、180度,Sk和Ku均呈明显减少的趋势。     

上硬下软双层地基有限元分析

在工程建设中经常遇见上层坚硬下层软弱的双层地基,本文利用大型有限元分析软件ANSYS对这一类的地基进行了弹性和弹塑性分析.从有限元的计算结果可以看出,地基中塑性区首先出现在交界面处的上层土中,随着荷载的增加,塑性区向交界面处上下土层均有扩展,由于下层土较软,塑性区扩展较快,最后当塑性区到达基础底面时,地基达到极限承载力,计算开始不收敛.本文揭示了该类地基在荷载作用下,地基中塑性区的产生和发展规律,可供工程设计人员参考.     

汽轮机速关油泄压停车原因分析及处理

介绍了高压锅炉水泵汽轮机在无连锁信号的情况下速关阀多次出现突然关闭而停车的事故现象及特点。根据汽轮机控制机理、相关部件的工作原理,结合事故的特征,从操作原因、机械故障、电器、仪表故障四个方面对事故原因进行了分析,排除了速关阀、错油门、危机遮蔽器油门、电液转换器及505控制模块故障对事故的影响,通过对停车电磁阀接线柱接触情况及ESD信号输出线路进行现场排查,确认该事故是由停车电磁阀线圈故障所引起。对电磁阀更换处理后,故障得以消除。     

基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究

讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。