非晶硅薄膜晶化方法

多晶硅薄膜由于具有较高的载流子迁移率和良好的光电性能,广泛应用于集成电路及光电器件中,尤其在太阳电池领域引起了广泛关注。多晶材料晶界处会发生载流子的复合,降低载流子寿命。结晶度与晶粒尺寸是多晶硅薄膜取得良好性能的关键因素,直接制备的多晶硅薄膜一般晶粒尺寸较小、晶界较多,所以常采用非晶硅晶化法制备出晶粒尺寸较大的多晶硅薄膜。介绍了几种常见的非晶硅薄膜晶化方法,总结了各种晶化方法的机理和制备的薄膜的物理性质。     

利用水槽实验对不同流速下三角洲发育区别的探究

实验借助自制的小型水槽,探究了中等流速和高流速下三角洲发育的区别,结果表明:流速对于三角洲发育的影响主要体现在时间和规模上。不同流速下的发育过程均可划分为高建设期和低建设期。中等流速下三角洲在低建设期横向发育和斜向发育交替进行,而高流速下三角洲在低建设期先横向发育再斜向发育,并且高流速下三角洲砂体发育的时间较长。对于河道和朵叶体来说,中等流速下两者的数量要比高流速下两者的数量多。同一种流速下,不同位置的河道和朵叶体的规模存在区别,一般来说,发育在正前方的河道和朵叶体规模比两侧的规模大,但数量比两侧的要少。     

快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究

采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。     

空间用GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的抗辐照性能及退化机制研究

利用TFC光学膜系设计软件,设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的布拉格反射器在中心波长850 nm处反射率高达96%,可以使800~900 nm波段内红外光有效反射后被二次吸收,提高了Ga As子电池的抗辐照能力。通过对两种电池结构A、B地面模拟辐照试验获得1 Me V电子辐照下Ga In P/Ga As/Ge太阳电池电学参数随辐照注量退化的基本规律。在此基础上应用PC1D模拟程序分析太阳电池内部的载流子输运机理,建立1 Me V电子辐照下两种电池结构中多数载流子浓度和少数载流子扩散长度随辐照电子注量变化的基本规律。研究结果表明,多数载流子浓度和少数载流子扩散长度均随入射电子注量的增大而减小,同时原电池结构A中多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数明显高于新电池结构B,由此表明包含布拉格反射器的新电池结构具有更强的抗辐照能力。     

基于混淆因子隐压缩表示模型的因果推断方法

因果推断方法可以用于在观察数据上发现因果关系。在因果结构含混淆因子的数据上进行因果推断时,可能会受混淆因子的影响而得到错误的因果关系。针对上述问题,提出了一种基于混淆因子隐压缩表示（CHCR）模型的因果推断方法。首先,根据CHCR模型,构造含有对原因变量进行压缩表示的中间隐变量的备选模型;其次,利用贝叶斯信息准则（BIC）计算备选模型评分并选出得分最高的最佳模型;最后,根据最佳模型中的压缩情况判断变量间真正的因果关系。理论分析表明,所提出的方法能够识别经典的基于约束的方法所无法正确分辨的、带有混淆因子的因果结构,且在样本量较小等情况下,BIC评分也可以提高所提方法的表现。实验结果表明,在样本数变化时,所提出的方法在准确率指标上相较于极快因果推断算法（RFCI）等经典方法有显著提升,并适用于各种变量可能取值数不同的情况;在混合不同类型的因果结构时,该方法在准确率指标上高于最大最小爬山算法（MMHC）等经典方法;且该方法能够在Abalone数据集上得到正确的因果关系。     

贵金属纳米颗粒/石墨烯复合基底SERS研究进展

由于贵金属纳米颗粒/石墨烯复合基底可为喇曼光谱分析技术提供灵敏度高、稳定性好、生物相容性好的基底而备受关注。首先从电磁原理和化学原理两个角度出发,系统地探讨了贵金属纳米颗粒/石墨烯复合基底表面增强喇曼散射(SERS)的机理,进而概述了石墨烯及贵金属纳米颗粒的制备方法及其性能特征,并详细介绍了化学气相沉积法制备石墨烯和物理法制备贵金属纳米颗粒的过程。在此基础上,对不同贵金属纳米颗粒/石墨烯复合基底SERS的国内外研究进展进行了综合的阐述和分析,主要介绍了贵金属Ag,Au和Pt的纳米颗粒复合体系,最后对贵金属纳米颗粒/石墨烯复合基底SERS技术在各个领域的应用及其发展前景进行了展望。     

离子注入法制备NiSi2层及其表面等离激元增强ZnO紫外发射的研究

通过对NiSi2的表面等离激元共振能量和ZnO/NiSi2的Purcell因子的计算,结果表明可以利用NiSi2与ZnO之间的表面等离激元耦合效应来增强ZnO的紫外发射。实验中,ZnO薄膜直接沉积在NiSi2层上,其中NiSi2层通过Ni离子注入的方法获得,并且其表面粗糙度可在3 nm到38 nm的大范围内调节,为研究表面等离激元增强ZnO紫外发射创造了有利的实验条件。在最粗糙的NiSi2层上制备的ZnO,其紫外发射获得了11倍的增强。本文的实验结果表明,NiSi2有望应用在电互联材料的同时,还可以用其来增强半导体的光发射。     

有机太阳电池结构设计研究进展北大核心

基于有机太阳电池结构的发展,首先对四种典型有机太阳电池器件结构和工作原理进行介绍和分析,即单层肖特基型太阳电池、双层异质结太阳电池、本体异质结太阳电池和叠层太阳电池。太阳电池的微电子和光子结构可以通过太阳电池模拟软件和计算机编程等数值模拟方法得到有效分析,详细阐述了国内外研究机构对有机太阳电池的模拟仿真结果。在此基础上,重点分析了数值模拟仿真中载流子迁移率、活性层厚度、带尾宽度和温度等参数对有机太阳电池性能特性的影响。最后,为获得性能最佳的有机太阳电池,提出器件结构优化方案并展望了有机太阳电池器件模拟研究的未来发展方向。     

石墨衬底多晶硅籽晶层制备及性质

采用磁控溅射技术在石墨衬底上制备多晶硅籽晶层,系统研究了不同衬底温度、不同快速热退火(RTA)温度和时间对籽晶层结构性质的影响。通过X射线衍射(XRD)仪测试分析,发现溅射过程中衬底温度对于结晶质量有着至关重要的影响,即衬底温度为700℃是形成Si(220)晶面择优取向的临界温度,当衬底温度高于700℃时,Si(220)晶面衍射峰峰高随衬底温度的增加显著增大。在RTA过程中,提高退火温度和延长退火时间均能够提高薄膜多晶硅籽晶层Si(220)晶面的择优取向。     

60%电光效率高功率激光二极管阵列

设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件.微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1W /A和38.2 W.测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm-1和91.6%.测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计.