LPE生长外延片超薄有源层结构的SEM研究

通过对液相外延（LPE）生长的外延片不同处理方法的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜（SEM）来观测有源区厚度的有效方法──蒸金法，最优可观察有源区厚度20nm，对设计厚度为18nm结构来说[1]，这是一种便利而有效的观察手段。     

半导体大光腔激光器的模式

用四层平板波导的理论:计算了我们研制的半导体大光腔激光器的模式。在给定条件下:可能存在四个模式。这个结果与以前的理论符合的很好。     

GRINSCH-SQW激光器波导特性的数值分析

分析了具有缓变折射率分别限制单量子讲的波导特性。用有限差分方法解出了波导对于基模的等效折射率。在此基础上，通过计算波导中垂直子激光器结平面方向上的光强过场分布，进而求得有源层的光限制因子及各种波导结构参数对的影响。     

分别限制量子阱激光器的载流子限制特性及漏电流

本文在数据求解分别限制量子阱激光器的光增益及阈值电流密度的基础上，计算和计算了漂移和扩散两种机制引起的漏电流对半导体激光器阈值电流密度的影响讨论了激光器的结构参数与漏电流的关系。计算结果和实验进行了比较。     

高功率无铝半导体激光器

ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ激光器抑制暗线缺陷的形成,器件的突然失效及缓慢退化有所减少。研究表明,高功率无铝半导体激光器比有铝ＡｌＧａＡ／ＧａＡｓ激光器具有更高的可靠性。文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点,介绍了波长为８０８ｎｍ的高功能无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况。     

分别限制量子阱激光器的载流子限制特性及漏电流

本文在数值求解分别限制量子阶激光器的光增益及阈值电流密度的基础上，计算和分析了漂移和扩散两种机制引起的漏电流对半导体激光器阅值电流密度的影响讨论了激光器的结构参数与漏电流的关系。计算结果和实验值进行了比较。     

低折射率耦合层半导体激光器模式特性的分析

本文讨论了几何参量和光学参量对具有低折射率耦合层半导体激光器垂直结方向模式的影响,对器件制做时参数的选取提供了理论上的依据.     

双包层光纤激光器

报道了双包层光纤激光器的发展现状，给出了圆环形和偏心形双包层光纤激光器泵浦效率的计算公式，并对二者进行了比较。     

硅基发光材料研究进展

阐述了等电子杂质、掺Er硅、硅基量子结构(包括量子阱、量子线和量子点)及多孔硅的发光机理,综述了90年代以来a-Si/SiO2、SiGe/Si等Si基异质结构材料的优异特性和诱人的应用前景,着重介绍了能带工程为Si基异质结构带来的新特性、新功能,重点介绍了硅基量子点的制备和发光机理,综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。