一种改进的SOI Flash存储器

提出了一种缩短SOI Flash存储器浮栅长度的改进结构。对采用改进结构的器件进行仿真,结果表明,改进型结构与传统型结构相比,其存储窗口由3.7 V提升到4.9 V,提升了32%;在相同的阈值电压改变量(编程和擦除过程中阈值电压偏移量分别为3.5 V/-3.5 V)的情况下,所需的编程时间缩短了73%,擦除时间缩短了64%,表明改进型结构的性能得到了显著提高。