红外瞬态退火全离子注入MOS工艺的研究

研究了一种新的红外瞬态退火技术,其工艺与常规的MOS工艺高度兼容.本文报道了这种红外瞬态退火的全注入 MOS工艺.用这种工艺制备的1μm沟长的 MOSFET 的电性能良好。同时也制备了 3μm沟长的 23级环振器与沟长为2 μm的 43级环振器,这些环振器每级门的延迟时间分别是1ns和0.6ns.     

红外区熔再结晶SOI中形貌缺陷的产生与抑制

本文在研究多晶薄膜熔化前沿推进行为的基础上，指出ＳＯＩ晶膜形貌缺陷的产生与固液界面的温度梯度有密切关系，从而提出了一种通过减小石墨条与样品间距以抑制缺陷产生的措施．     

500KV变电所检修设施配备的讨论

我国运行的500kV 变电所检修设施配备,有部分配备了变压器检修间,考虑到500kV 变压器、电流互感器在室内检修,还配备了30～40吨双梁桥式吊车。但到目前为止,一些变电所内发生的设备故障检修情况,却与变电所原设计意图有着较大的差别。如东北辽阳变电所500kV 主变压     

66千伏系统分频谐振过电压的预防

一、前言分频谐振过电压是中性点不接地系统(或系统异常运行造成中性点不接地)经常发生的一种过电压。是由系统零序容抗与电压互感器励磁感抗相匹配,在一定的中性点位移电压激发下发生的。其特点是谐振电流大并可长期维持。这种过电压是目前66kV系统电压互感器烧损的主要原因之一。本文将介绍我局预防66kV系统分频谐振过电压的措施。二、分频谐振过电压产生的条件 (一) 66kV网络必须在无消弧线圈或消弧线圈在故障情况下切除时,才可能产生分频谐振过电压。 (二) 系统零序容抗与电压互感器励磁感抗必须匹配在彼得逊分频谐振区域内,才可能产生此种过电压。     

瞬态退火注砷硅亚稳态浓度的后热处理特性研究

高剂量As注入Si的样品,经红外瞬态辐照退火能获得亚稳态载流子浓度(体浓度可高达6×10~(20)cm~(-3)),明显超过800℃时热平衡条件下As在Si中的固溶度值(1.9×10~(10~(20)cm~(-3)).红外瞬态退火后再进行不同温度(室温-800℃)的后热处理,发现在处理温度390℃以上时,激活的杂质浓度随着时间加长而显著下降.本文报道上述失活现象的实验研究结果(霍耳效应测试和阳极氧化剥层技术、TEM、RBS随机谱、沟道谱和沟道产额角分布等实验结果),通过对这些实验的综合分析,讨论了激活As原子的失活机理.     

深圳机场屋内配电装置直击雷防护的改造

深圳机场屋内配电装置直击雷防护的改造深圳机场公司动力站侯东彦１前言深圳机场地处深圳市西３０ｋｍ的珠江口，与香港隔海相望。自１９９１年１０月投入使用以来，机场１０ｋＶ供电网曾一度受过雷电过电压的侵害，后经对中心供电站过电压保护进行技术改造，才解决了这一...     

高浓度注砷硅的红外瞬态辐照退火

用高温石墨作为红外辐射源,对高浓度的注砷硅进行了瞬态(13 秒)辐照,达到非常好的退火效果.对于10~(16)cm~(-2)剂量的注砷硅可达到100％的电激活,且损伤恢复比热退火(1100℃,30分)情况要好,引起的注入原子的再分布比常规的高温热退火要小得多.用本方法退火的注砷硅PN结具有良好的电特性。因此,在 VLSI工艺中它是一种很有应用前景的离子注入退火技术.     

用3720 ACM建立10kV供电网集控系统

3720 ACM电力综合监控仪是加拿大PML公司专为电力系统设计的,具有三相电量测量、记录、分析和控制、保护、远程通讯及多机联网等功能,已在欧美许多电力公司与电力用户应用。深圳机场10 kV供电网即采用37.20 ACM建立了微机集中监控系统。