Sn掺杂Ge-Sb-Te相变薄膜的晶化特性

用磁控溅射法制备了掺杂Sn的Ge2Sb2Te5相变材料薄膜,研究了Sn含量对结晶性能的影响.薄膜的X射线衍射(XRD)表明,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变,并出现Sn-Te相.通过示差扫描量热(DSC)实验测出在不同加热速率下非晶态薄膜粉末的结晶峰温度,计算了材料的结晶活化能.根据结晶动力学分析和结晶活化能数据,掺杂Sn后的Ge-Sb-Te具有更高的结晶速率,用于光存储时将具有更高的擦除速度.     

用激光检验浮法玻璃

Intec公司最近宣布了一种改进了的方法，用以探查浮法玻璃生产过程中形成的小气泡、结石和表面玷污。该公司是激光检验技术的开拓者。据说用这种方法至少可以准确到95%。该激光检验系统有两种基本设计，分别用于探查彩色玻璃和透明玻璃中的缺陷。     

用激光荧光技术测量煤的燃烧

在俄亥俄州贝特尔的哥伦布实验所花两年时间，耗资12万美元研究精确度高得足以测量煤燃烧中的化合物和温度的激光荧光技术。该项研究的最终目标是通过应用新的激光法分析火焰特性以便弄清并提高煤和其他动力产生系统的效率。     

利益相关者视角下的高校专业建设管理研究

高校是一个典型的利益相关者组织,其利益相关者会通过社会评价、生源、学生就业、毕业生成就等途径影响高校专业建设,并最终影响高校声誉和可持续发展。因此,深入分析专业建设中利益相关者的权利、利益要求及其影响是实施高校专业建设管理的基础和前提。分析表明：不同利益相关者对高校专业建设有不同的利益要求和影响。这就需要学校在专业建设中,通过识别利益相关者,增进与利益相关者的互相了解,赢得信任以及采取利益相关者纳入的专业建设管理策略等,以促进专业建设更好地满足利益相关者的需求。     

无机相变信息存储材料研究新进展

硫族化合物合金GeSbTe(GST)和AgInSbTe等相变材料(PCM)已经在光存储技术中得到广泛的应用,用相变电存储器件作为闪存的替代产品已成为国内外研究的热点.与此同时,相变材料在一些领域也取得了新的应用.总结了近年来国内外在相变材料的存储机制、光/电存储性能的改进以及新应用等方面的最新研究成果,并展望了相变材料的研究前景.     

热致变色和光致变色光学薄膜的溶胶—凝胶法制备和性质

用溶胶—凝胶法制备了掺铜离子的二氧化钒热致变色薄膜,其光学性质随温度发生明显的滞徊变化。铜离子使薄膜的相转变温度降低,拓宽了应用范围。用溶胶—凝胶法将螺哦嗪染料引入有机改性陶瓷中,配以适当添加剂制成光致变色薄膜,其光幅照稳定性分别比染料溶液和不含添加剂的薄膜提高５０ 倍和１０ 倍以上,为实用化开辟了广阔的前景     

光盘中使用的光学薄膜

介绍了用于ＣＤ系列光盘,磁光光盘,相变光盘和ＤＶＤ系列光盘的信息记录膜,光学介质膜和反射膜材料的原理,性能要求,制膜技术以及膜层之间的匹配问题。     

工艺参数对AgInSbTe薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射工艺,在 Ｋｇ玻璃基片上用 Ａｇ－Ｉｎ－Ｓｂ－Ｔｅ合金靶制备了 Ａｇ_δＩｎ＿（１４）Ｓｂ＿（５５）Ｔｅ＿（２３） 相变薄膜,将沉积态薄膜在３００℃进行了热处理．测量了薄膜的光学性质和静态存储性能,研究了 溅射气压和功率对薄膜光学性质和静态存储性能的影响．结果表明,适当的溅射气压和溅射功率可使 Ａｇ_δＩｎ＿（１４）Ｓｂ＿（５５）Ｔｅ＿（２３）相变薄膜具有较大的反射率对比度,从而提高其存储性能．     

溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明,在波长小于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小,消光系数ｋ则逐渐减小;在波长大于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加折射率ｎ逐渐减少,消光系数ｋ先减小后增加。对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率ｎ随溅射功率的增加减小后增加,消光系数ｋ则逐渐减少。薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小。讨论了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数影响的机理。