Uncooled InAs0.09Sb0.91 photoconductors with cutoff wave- length extended to 11.5 μm

Uncooled InAsSb photoconductors were fabricated. The photoconductors were based on InAs0.05Sb0.95 and InAs0.09Sb0.91 thick epilayers grown on InAs substrates by melt epitaxy (ME). Ge immersion lenses were set on the photoconductors. The cutoff wavelength of InAs0.09Sb0.91 detectors is obviously extended to 11.5 mm, and that of InAs0.05Sb0.95 detectors is 8.3 mm. At room temperature, the peak detectivity of Dλp at wavelength of 6.8 mm and modulation frequency of 1 200 Hz is 1.08×109 cm.Hz1/2.W-1 for InAs0.09Sb0.91 photoconductors, the detectivity D at wavelength of 9 mm is 7.56×108 cm.Hz1/2.W-1, and that at 11 mm is 3.92×108 cm.Hz1/2.W-1. The detectivity of InAs0.09Sb0.91 detectors at the wavelengths longer than 9 mm is about one order of magnitude higher than that of InAs0.05Sb0.95 detectors, which rises from the increase of arsenic (As) composition in InAs0.09Sb0.91 materials.     

In0.53Ga0.47As/InP高速光电二极管材料生长及光电性能

利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设计制造正入射平面In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管器件。该器件采用与InP衬底晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As材料做吸收层,InP材料做倍增层,同时引入InGaAsP梯度层。探测器件光敏面直径50μm,器件测试结果表明该器件光响应特性正常,击穿电压约43 V,在低于击穿电压3 V左右可以得到大约10 A/W的光响应度,在0 V到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右。光电二极管在8 GHz以下有平坦的增益,适用于5 Gbit/s光通信系统。     

超高压直流输电对无线电业务干扰的研究

0前言在我国的电网建设规划中,为了把我国几个大区域电网和个别分离的省级电网联接在一起最终形成全国的统一电网,同时把西北、西南丰富的水电、火电资源远距离输送到沿海经济发达地区,解决这些     

非制冷型中长波铟砷锑探测器

工作在中、长波红外波段(波长5~12μm)的红外探测器在红外制导、红外成像、环境监测及资源探测等方面有着重要而广阔的应用前景。目前中国军用和民用对这一波段的非制冷型、快速响应的光子型红外探测器有迫切需求。文中用熔体外延(ME)法在InAs(砷化铟)衬底上生长的InAs0.05Sb0.95(铟砷锑)厚膜单晶,制作了高灵敏度、非制冷型、中长波光导型探测器,探测器上安装了Ge(锗)浸没透镜。傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱显示InAsSb材料的本征吸收边出现在波长8μm以后。InAs0.05Sb0.95探测器的光谱响应波长范围为2~9μm。室温下,在波长6.5μm处的峰值探测率Dλp*达到5.4×109 cm·Hz1/2·W-1,在波长8.0μm和9.0μm处的探测率D*分别为9.3×108和1.3×108 cm·Hz1/2·W-1,显示了InAsSb探测器的优越性能及对红外探测和成像的应用前景。     

P-AlInP限制层掺杂对AlGaInP红光LED发光亮度影响

针对四元系AlGaInP红光发光二极管在制备过程中,材料的掺杂特性对于器件性能影响巨大,尤其是AlInP限制层材料的掺杂,对于器件光电性能具有明显的影响。在实际生产过程中P型掺杂浓度的波动非常大,明显影响到红光LED的发光均匀性。从不同的AlInP限制层P型掺杂浓度与LED发光亮度的关系入手,探索研究AlInP限制层P型掺杂浓度对LED发光亮度影响的规律,所得研究结果对于LED的器件结构设计以及MOCVD外延材料生长有一定的指导意义。     

非制冷型InAsSb光探测器在8～9μm波长的性能提高

研究提高非制冷型铟砷锑(InAsSb)光子探测器在8～9μm波长的灵敏度。用 熔体外延(ME)技术在砷化铟(InAs)衬底上生长了长波长InAsSb厚外延膜,外延层 厚达到50 μm。X-射线衍射(XRD)谱测量表明,外延层为高质量单晶。电子探针 微分析(EPMA)组份分布图像显示,Sb在外延层中的分布比较均匀。用该材料制作了 光导探测器,在探测器上安装了锗(Ge)浸没透镜。非制冷条件下,器件的光谱响应证 明,InAs0.06Sb0.94探测器在波长8.0μm及9. 0μm处的 探测率D*分别为1.30×10⁹cm·Hz 1/2·W－1 及0.28×10⁹cm·Hz1/2·W－1,比InAs0.02 Sb0.98探测器提高了1个数量级,这是由于 InAs0.06Sb0.94材料中As组份的增加引起的。而在波长6.5 μm 处,InAs0.06Sb0.94和 InAs0.02Sb0.98的峰值探测率Dλp均达大于1.00×10 ⁹cm·Hz1/2·W－1,可应用在红外探测和成像领域。     

近室温工作的中长波InAsSb探测器

用熔体外延法(melt epitaxy),在砷化铟(In As)衬底上,制备了长波铟 砷锑(InAs0.05Sb0.95)厚膜单晶。熔体外延法,是一种改进的液相外延法(LPE)。 用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的横截面,测量出外延层的厚度达到150 μm,这个厚度有效地抑制了外延层与衬底之间晶格失配的影响。制作了近室温 工作的中长波铟砷锑探测器,是光导型器件,安装了半导体制冷器。250 K下, 光谱响应的波长范围为2－11 μm,峰值响应率为153.7 V/W,加装锗(Ge)场镜 后,峰值响应率提高到1912.6 V/W,指示了在 红外探测领域的应用前途。     

黄绿光发光二极管光衰性能研究

AlGaInP是GaAs基LED有源区主要材料,广泛应用于黄绿光至红光波段的LED。但在短波段尤其是黄绿光波段(565～575 nm),因其材料组成较接近间接带隙,其发光效率和稳定性存在问题。目前黄绿光功率衰减以俄歇复合损耗、非复合辐射中心损耗、载流子损耗为主。所以研究相同生长温度不同阱垒厚度、量子阱相同厚度不同生长温度、P型掺杂层掺杂浓度对发光光衰的影响。发现较薄的MQW阱垒厚度、较高的MQW生长温度及P-space后端P型层前端插入一层20 nm厚度,1.7×10~(18) cm~(-3)浓度的高掺杂层三种方案可以改善黄绿光发光二极管光衰性能。     

光导型InAsSb红外探测器的研制

针对室温（293 K）条件下使用要求,采用InAsSb单晶材料加浸没透镜制作成2～9μm波段高灵敏度光导型InAsSb红外探测器。实测光谱响应值出现在1.656 5～8.989μm。在光谱响应波段范围内,最大响应度值为对比组C2、C3组。初步实现了室温（293 K）使用要求,响应光谱2～9μm波段光导型InAsSb红外探测器设计目的。