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最近,中国科学院物理研究所、中国科学院上海硅酸盐研究所和中国科学院理化技术研究所合作,获得了较高质量的Nd∶YAG多晶陶瓷并实现了热容运转10.0W的激光输出。实验中使用的Nd∶YAG多晶陶瓷Nd3 掺杂原子数分数为1%,尺寸为3.5mm×3.5mm×12mm。图1给出了Nd∶YAG陶瓷在700~1200nm间的透射率曲线,在1064nm处的透射率为87.0%。用α代表损耗系数,则exp(-αl)=87.0%,其中l表示陶瓷的长度。因此损耗系数α=0.116cm-1。开展了Nd∶YAG陶瓷的热容运转激光性能研究,即在激光工作过程中激光介质处于绝热状态。实验装置如图2所示,激光陶瓷由两… 相似文献
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绪言碳化硅(以下简称SiC)半导体是在五十年代后期作为一种耐高温的半导体材料发展起来的。但由于受六十年代初世界性经济衰退的影响,一些与SiC耐高温特点有密切关系的远期发展项目的削减,使SiC的研究工作蒙受影响;而且SiC半导体材料和器件工艺的难度远远超过Ge、Si乃致GaAs。因此,在经过1973年的第三届SiC半导体国际会议以后,国际上对于SiC半导体的研究工作渐趋冷落。虽然如此,这方面的研究工作却从未中断过。近年来,对SiC基本性能参数有了更清楚的了解。它的最大反向击穿电场几乎是硅的十倍,饱和载流子漂移速度可达1.3—2.0×10~7cm/s,而热导率约为硅的三倍,砷化镓的十倍,再加上SiC固有的稳定和耐高温的优点,看来它在高频大功率器件方面颇有潜力,因而一直有人进行这方面的探 相似文献
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