MOS结构准静态测试中的异常C—V曲线

本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。     

有限介质绝缘电阻对C—V测量的影响

本文描述了在高频和准静态C-V测量中,二氧化硅介质层有限电阻对测量准确性的影响。特别是在准静态测量中,由于频率相当低,MOS电容值只有100pF左右,所产生的位移电流为10(-9)～10(-14)A范围,介质层有限电阻产生的漏电流对测量准确性影响很大。因此,在存在漏电流的情况下,必须从测得的数值中扣除漏电流,才能进行界面态密度的计算。     

MOSFET强表面场电学特性分析

本文考虑了横向电场和纵向电场对表面迁移率的影响,分析了强表面电场下MOSFET的电学特性.给出了电导和跨导等分析表达式.对硅VVMOSFET进行了电学特性的测量.实验结果与理论分析符合得很好.