新型AgInSbTe相变薄膜的结晶活化能研究

利用磁控溅射法制备了新型AgInSbTe相变薄膜, 热处理前后的X射线衍射(XRD)表明了薄膜在热作用下从非晶态转变到晶态. 通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测定了不同升 温速率条件下的结晶峰温度, 计算了粉末的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子. 从结晶活化能E可以判断出新型AgInSbTe相变薄膜具有较高的结晶速度, 可以用于高速可擦重 写相变光盘.     

工艺参数对新型AgInSbTe相变薄膜反射率的影响

利用磁控溅射法制备了一种新型AgInSbTe相变薄膜。分析了溅射气压和溅射功率对非晶态和晶态相变薄膜反射率的影响,结果表明不同溅射气压、功率下制备的相变薄膜的反射率具有明显差异,阐述了引起相变薄膜反射率变化的原因,并研究了蓝光(405nm)波长处相变薄膜反射率随溅射气压和溅射功率的变化规律。