场发射显示技术的发展状况

介绍了微尖阵列、碳纳米管、表面传导、弹道式电子发射、薄膜内场致发射以及类金剐石薄膜等几种场发射显示技术的发射特性，分析了场发射的工作机理。讨论了国内外场发射技术发展状况与它们在技术、材料、工艺等方面的瓶颈。展望了几种场发射显示器的市场产业化前景以及加快我国在场发射技术方面的研究步伐的建议。     

10英寸场助热电子发射显示屏的制作

讨论了金属-绝缘体-半导体-金属结构的场助热电子发射显示(FAHED)器件的制作原理,简述了Mo/Ta2O5/ZnS/Au结构的10英寸FAHED的制作.通过电子束蒸发具有低功函数的上电极材料,适当控制其厚度,并且控制半导体层合适的厚度和成膜条件可以提高器件的电子发射率至0.3%.     

钯膜上CVD法制备碳纳米管薄膜的研究

采用化学气相沉积法,以乙炔为碳源,在各种钯膜上制备了碳纳米管薄膜。通过电子显微镜观察了碳管薄膜和钯膜的表面形貌。结果表明,在真空气氛下磁控溅射的钯膜上无法生长碳纳米管。对溅射的钯膜进行大气气氛下的退火处理,则可生长出稀疏的碳纳米管团聚颗粒。采用在氧气气氛下磁控溅射的钯膜作为催化剂,则可显著提高碳管的生长密度和纯度,从而获得致密均匀的碳纳米管薄膜。     

p型CuSCN半导体薄膜电沉积特征的研究

采用电化学沉积法分别用水和乙醇作溶剂在In2O3-SnO2(ITO)透明导电玻璃上制备出了CuSCN薄膜。通过XPS分析表明：2种溶剂中制备的CuSCN薄膜均为SCN化学剂量比过量,具有P型半导体特征。研究了溶剂对CuSCN薄膜结构和光电学特性的影响。结果表明：在乙醇溶剂中能够制备出晶粒更加细化,致密度较高的CuSCN薄膜,电化学沉积制备的CuSCN薄膜具有β-CuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.7eV,具有较高的透光率。电流-时间或电位-时间的变化曲线表明：利用薄膜的半导体电阻特性,可以影响薄膜的沉积行为。     

超声条件下羟基磷灰石纳米针状晶体的制备

采用超声波处理技术,在常压下用湿化学沉淀法制备羟基磷灰石纳米针状晶体.通过控制超声处理过程中的超声时间和超声时分散剂的含量,研究了制备过程中超声处理务件对纳米针状经基磷灰石形态和结晶度的影响,得知采用超声处理有助于对人体骨纳米针状晶羟基磷灰石的模拟制备.     

超声处理对羟基磷灰石纳米针状晶形成的影响

实验采用液相沉淀法以硝酸钙和磷酸氢二铵为原料，以水为溶剂，以氨水为调节剂。采用不同的工艺条件(反应物浓度和分散剂种类)制备了羟基磷灰石，然后对试样进行超声处理。研究了制备工艺条件对所获纳米针状晶体在形态和生长上影响。     

电化学沉积法制备CuSCN固体电解质薄膜的研究

采用电化学沉积法用水作溶剂在ITO透明导电玻璃上制备出了P-CuSCN薄膜。研究了络合剂对电沉积液为CuSO_4,KSCN水溶液的CuSCN薄膜沉积效果的影响,探讨了利用电化学方法实现CuSCN阴极式沉积的机理,并研究了p-CuSCN薄膜的结构特性和光电学特性。结果表明,制备的薄膜为β-CuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.8eV,表面电导率为0.8×10~3S·cm~(-1),各项参数符合染料敏化PEC电池的基本要求。