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本文通过3~5μm多元光导器件的制备和实验,探讨了器件平均电阻R_D与材料电阻率ρ的关系,对器件和材料之间出现的不对应性进行了分析和研究。1.前言器件阻值影响到表征器件优劣的重要参数——探测率D。我们在制备3~5μm碲镉汞(以下简称CMT)12元光导器件的实践中,发现用固态再结晶N型CMT材料制成的器件,平均电阻R_D与材料电阻率ρ有对应关系的往往有较好的性能。而70%以上的器件, 相似文献
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基于EXFS的物理机制 ,我们用EXAFS研究多元物质中任一组元临近结构时 ,首先由测定的吸收谱求出精细结构函数X(k) ,根据X(k)确定结构参数 .这种方法在结构研究中有其独到之处 ,本文根据“短程序理论”所构造的物理模型 ,对用透射法的结果的处理方法进行了深入讨论 . 相似文献
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使用高分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了新腐蚀的多孔硅(PS)样品的电子结构。实验结果表明,从HREELS谱中能量损失阚值测得的PS的能隙移到2.9eV,与文献报道的光激发谱(PLE)结果相近。UPS结果表明PS的费米能级到价带顶的距离不同于单晶Si。结合HREELS和UPS结果可以初步得出PS与Si界面的能带排列。 相似文献
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从EESET的主方程的格林函数解入手,采用合理的位形退耦近似,第一次给出了适合于短时低浓度区域的平均平方位移与扩散系数的含时闭合的解析形式,与现有的其它理论所给出的渐近级数展开结果一致,与实验结果一致. 相似文献