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介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0 μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV pMOS器件和薄栅氧HV nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV nVDMOS和HV pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力 相似文献
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根据PDP显示系统的要求,设计出一块适合PDP显示的寻址驱动芯片,同时在分析高压VDMOS管和高压PMOS管结构特点的基础上,提出了实现PDP寻址驱动芯片的高压工艺流程及其基本参数。最后采用2.0μm的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺对芯片进行流片并对流出的芯片进行了测试分析,结果证明所设计的高压器件能满足PDP显示的实际要求。 相似文献
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为满足接地线在线监测要求,利用计算机、通信等技术建立变电站接地线在线监测系统,着重分析了该系统的整体构成及硬件等方面的设计,以供参考借鉴。 相似文献
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