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High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
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本文从客户/服务器系统性能调整的角度出发,介绍了PowerBuilder与ORACLE数据库之间的连接与通信方式,给出了数据库环境文件设置、事物对象及自定义事物对象等数据库连接方式,讨论了Cursor的使用、ORACLE存储过程调用等数据通信技术,并指出了与此相关的在实际安装PowerBuilder和ORACLE时应注意的有关问题。 相似文献
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面向订单的硅材料生产计划自动生成系统 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍一个面向订单的生声计划自动生成系统。作为我国自主开发的第一套半导体材料计算机辅助制造(SM-CAM)系统的核心模块,该系统台理地解决了硅材料生产的订单管理、生产资源的综合分析和生产能力平衡的计算,并能自动生成生产计划。该系统已成功地投入运行。 相似文献
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High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用Hihg-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-Ⅱ中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性,改进后的PISCES-Ⅱ程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
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采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合. 相似文献
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采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合. 相似文献
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二维离散余弦变换及其逆变换的VLSI实现 总被引:1,自引:0,他引:1
针对适用于H.263及H.264视频压缩协议的编解码算法,二维离散余弦变换(DCT),及二维反离散余弦变换(IDCT),设计了ASIC高速电路,并完成了电路的FPGA模拟验证.在高速算法设计方面,利用一维变换来实现二维变换,通过对变换矩阵的特殊处理,使得一维变换中只含移位和加法运算;在电路设计方面,采用流水线结构并行处理数据,用寄存器堆实现矩阵的转置.对算法及电路设计的优化和改进,大大减少了完成一个矩阵二维正反变换所需要的周期数,提高了电路的吞吐率和运算速度.ASIC设计采用0.18 μm CMOS工艺,在最坏情况下,综合电路可达到的最高频率为250 MHz;FPGA模拟验证最高频率可达170 MHz. 相似文献
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在半导体器件模拟程序中,需要求解线性方程组,直接法在矩阵规模较大时逐渐暴露出对存储空间要求过大的缺点,从而导致运算速度的下降,而采用迭代算法,如广义最小偏差算法(GMRES)法,在处理大规模稀疏矩阵时对存储空间要求较小,有效地解决了存储空间不足的问题,并能显著地提高运算速度,迭代算法有望成为新一代器件模拟软件的主流数值计算方法。 相似文献