采用RFQ加速器的高能离子注入机

近几年来,具有兆电子伏(以下简称MeV)能量的离子束在很多领域中获得广泛利用。它在VLSI等半导体离子注入中尤其可望取得崭新的进展。这是因为用MeV级能量进行离子注入时,离子注入的深度比过去的中能离子注入要多好几倍。例如,已经有人提出要将它用于反向阱、埋入栅以及ROM编程等方面的设想,而且已经开始在某些器件中应用。不论是用     

日本第三届金刚石会议介绍

日本第三届金刚石会议于1989年11月30至12月1日在东京举行,参加会议的代表约四百人,提交大会的论文共46篇。普及的范围较广,从气相合成法到高压高温合成法,以及性能和金刚石相近的cBN膜的合成技术都提出了试验进展的报告,其中用气相合成法制造金刚石的论文占有很大的比重。会议内容大体上可以分为基础技术,光、电子材料的应用以及工具     

用于离子注入的高能大束流射频加速器的设计研究

离子注入是半导体器件制造中一项很重要的工艺,由于微电子工业对具有MeV级能量的离子注入的兴趣日益增长,对高能离子束的要求也日益迫切,此外,在某些应用中,需要有高达10~(18)离子/厘米~2的注入剂量,这就意谓着高能离子束必须具有大束流。对于高能、大束流这两项要求,射频linac(直线加速器)系统都可很好地满足。本文根据几种新型linac结构     

国外大束流离子注入机市场动态

离子注入机从70年代开始应用于半导体掺杂以来,已经取得了很大的进展。从其应用范围来看已从半导体掺杂扩大到对金属注入(即材料改性)、制造太阳能电池和在绝缘物上生长单晶等。从它的品种来看已从小束流发展到中束流(0.5—1mA),大束流(1～10mA)和特大束流(100～200mA)。能量从中能(100～200keV)发展到     

第三十二届国际三束会议介绍

这次会议于88年5月31日至6月3日在美国佛罗里达州的洛德代尔堡举行。参加会议代表最多的为美国(273人),其次是欧州(71人)和日本(33人),提交大会的论文共171篇,大会同意采纳129篇,比以往各届有较大的增加。从内容来看,电子束占18％,离子束占18％,抗蚀剂占17％,X射线占13％,微细器件加工占11％,蚀刻占9％,其余为物理评价和表面反应等内容的文章。从提供论文的数量来分,美国占62％,日本占16％,西德占9％。     

国外微细加工技术最新文献索引

(为便于读者查阅,现将本索引中采用的期刊名称缩写和全名对照列在下面)A.P.L. Applied Physics Letters。J.J.A.P. Japanese Journal of Applied PhysicsJ.V.S.T. Journal of Vacuum Science&TechnologyM.M。T. Microelectronics Manufacturing TechnologyN.I.M.P.R. Nuclear Instruments and Methods in Physics ResearchS.S.T. Solid State Techno~IgYS.I, Semiconductor InternationalS.W. Semiconductor WorldSPIE Society of Photo—Optical Instrumentation Engineers92—100 用高能离子注入制作16M DRAM…     

直流宽束Mevva离子源的研制

作者正在研制一种在直流方式下工作,可输出离子束截面很大的金属气化真空弧(以下简称Mevva)离子源。在初步试验中,采用一组直径为18cm的多孔吸出栅极,在吸出电压为9kV(由于离子电荷状态的分布,离子能量约为18keV时,产生了束流约为0.6A的直流钛离子束。另外,作者还利用一个脉冲式等离子体枪,从直径为50cm(面积为2000cm~2)的栅极组获得离子束,这种配置方式能够非常有效地利用等离子体,在吸出电压为50kV(平均离子能量约为100keV)时,引出的束流可达7A,束的直径为33cm(FWHM),束脉冲的超调部份可达20A。本文将介绍Mevva研制规划中的直流宽束Mevva离子源的研制工作概况以及迄今所获得的研制成果。     

金属气化真空弧离子源

利用金属气化真空弧离子源(以下简称Mevva)形成金属等离子体,然后从中引出离子束是一种很有效的产生大束流金属离子束的技术。周期表上几乎所有的固体金属都可通过这种技术产生几安培的金属离子脉冲束流。最近进行的一些试验还证实利用这种技术还可获得金属离子的直流束流。它所采用的离子束引出电压可以高达100keV。由于真空弧等离子体产生的离子一般都带有多电荷,因此,离子能量实际上可高达几百keV。这种离子源可用于重离子同步加速器的注入装置、金属离子注入以及其它应用领域。美国的Berkeley大学和世界上其它国家的科研机构分别研制出了好几种结构不同的这种类型的离子源。它们具有下述特点:阴极数目多、能够很方便地迅速更换18种阴极材料,束的直径可以大到50cm,也可以小到姆指那么大,本文将根据Berkeley大学所承担的Mevva离子源研制规划的发展前景,对这种离子源的设计特点、使用性能和束的特性等作一综述性的介绍。     

国外电子束曝光、聚焦离子束曝光和X射线曝光最新文献索引

A.P.L.Applied Physics Letters J.J.A.P. Japanese Journal of Applied Physics J.V.S.T. Journal of Vacuum Science & Technology M.M.T. Microelectronics Manufacturing Technology N.I.M.P.R. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research S.S.T. Solid State Technology 92—1 A.N.Broers     

从86年的“三束”会议看当前电子束曝光机的最新进展

第30届国际电子束、离子束、光子束会议已于今年5月27日至30日在美国波士顿举行,参加会议的人数为420人,其中美国347人,日本36人,英国13人,西德6人,荷兰5人,奥地利4人,其它国家9人。大会收到论文102篇,其中美国65篇,日本21篇,英国6篇,西德5篇,中国4篇,荷兰1篇。