排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 109 毫秒
1
1.
本文提出了一种用于近场辐射源定位的高效3D -MUSIC算法。该算法首先假设信号源为远场源,得到有关近场信号源与假设的远场信号源的关系式;然后利用傅立叶变换与多项式根方法计算远场辐射源的仰角和方位角,建立近场辐射源的搜索路径,沿此路径用传统的3 D-MUSIC搜索,确定近场辐射源的位置;最后在该位置附近进行局部优化搜索,得到最佳结果。仿真结果表明,该方法精确定位,计算时间短,有效地提高了定位的实时性。 相似文献
2.
3.
芯片与微电子系统是现代电子信息与智能技术的基础,芯片由集成电路(integrated circuits,IC)技术实现,而微电子系统则可由本文提出的集成系统(integrated systems, IS)技术实现.集成系统概念的提出参照了集成电路的思想,并基于以下4方面原因:首先,集成电路是手段,系统才是目的,单个集成电路往往不具备系统功能,需要与其他电路或元器件相结合才能构成系统.其次,标准硅基集成电路的摩尔定律已面临挑战.第三,微电子系统的前道芯片设计加工与后道封装集成逐步收敛.最后,目前的封装集成技术采取分立的实施步骤.集成系统研究如何将各种不同材料、不同工艺、不同结构的元器件、天线、集成电路芯片进行集成,实现所需功能和性能的微电子系统.集成系统的一个核心理念是能否像设计、加工集成电路一样设计、加工微电子系统.本文将介绍集成系统的背景、概念、特征、面临的挑战、需解决的关键科技问题,以及一些研究进展. 相似文献
4.
5.
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10~40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。 相似文献
6.
衰减常数是微波传输线的重要特性参数。精确计算传输线的导体损耗衰减常数需要分析特定模式的电磁场并在导体表面积分。增量电感法将TEM或准TEM模导体损耗衰减常数的计算等效为特性阻抗对几何尺寸的偏导问题,简化分析过程。本文以同轴、带状线、微带线为例,阐述了增量电感法的原理、应用方法、适用范围,并加以讨论。 相似文献
7.
本文以电路的二分性定理在射频/微波技术领域的演变为基础,引出射频/微波对称网络的奇偶模分析方法,并以二分性定理和奇偶模分析法的导出公式的应用为例,说明典型的单、双对称电路和射频/微波对称网络网络参量的简单推导过程.结果表明,采用二分性定理和奇偶模分析法导出的对称电路和射频/微波对称网络的阻抗和散射参量与常规方法所得的结果完全相同. 相似文献
1