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化学沉淀法制备SnO2纳米级粉体 总被引:1,自引:0,他引:1
用液相沉淀法,在分析纯的SnCl4·5H2O水溶液中滴加分析纯NH3含量25% ̄28%的NH4OH水溶液,得到粒度为几个纳米至二十几个内米的SnO2超细粉末;系统研究了SnCl4的浓度、滴加NH4OH水溶液的速度、干燥方法、煅烧温度及粉末中氯离子的含量对最终粉末颗粒度的影响规律,并探讨了影响机理。 相似文献
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无团聚纳米级SnO_2粉末及其气敏元件的制备 总被引:5,自引:1,他引:4
用液相沉淀法在结晶五水四氯化锡的水溶液中滴加浓氨水,通过在沉淀时加入高分子有机分散剂,剧烈搅拌,控制反应结束时pH值,用无水乙醇洗涤、冷冻干燥及选取适当的煅烧温度等一系列工艺手段来制取SnO2粉末。将得到的粉末用TEM、BET及XRD半峰宽法测定其粒径大小,证明粉末最小平均粒径可至3.79nm且无团聚存在,XRD分析表明所得的SnO2为四方相。将此粉末制成气敏元件,经测试表明气敏性能有很大提高。 相似文献
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V2O3与聚合物复合可制备室温电阻率0.4Ω·cm,PTC效应高达10个数量级的热敏电阻材料。讨论了V2O3含量、聚合物种类和含量对室温电阻率和PTC效应的影响规律,并对复合材料的微观结构进行分析,用隧道效应解释了PTC效应。 相似文献
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用多晶X射线粉末衍射配合电子探针微区分析及电子衍射,可以有效地进行陶瓷介质的晶相分析,对用于Ⅰ型陶瓷电容器的D、B、I、J、N组几个实用的铌铋镁独石电容器瓷料基本配方中的研究表明:当瓷料基方的MgO:Bi_2O_3:Nb_2O_5分子比为1~2:1~2:1时,其主晶相为一个新的三元化合物,这个化合物的分子式为Bi_(3/2)(Mg_(1/3) Nb_(2/3))_2 O_(6 1/4);属于既有阴离子缺位又有阳离子缺位的立方烧绿石型结构,空间群为Fd3m,用外推法计算出点隙常数a=10.5775。 用电子计算机进行了X射线衍射强度的理论计算,进一步验证了这一三元化合物的结构和组成。 相似文献
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