14.5～15GHz11W内匹配功率器件

介绍了一种采用GaAs PHEMT管芯设计的超高频内匹配功率器件。为了在更高的频率获得较高的输出功率,采用0.25μm栅长的PHEMT工艺,制作了总栅宽19.2 mm的大功率管芯。采用频带较宽的微带渐变传输线和T型网络共同组成栅极和漏极的匹配电路,并对封装管壳进行优化,有效提高了器件的微波特性。在带内频率14.5～15 GHz、漏源电压Vds为8 V时,器件输出功率大于40.4 dBm(11 W),线性功率增益为7 dB,功率附加效率大于23%。     

InP基HEMT／HBT器件工艺的最新进展

目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＣａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望成为下一代异质结构器件。在继续改进器件结构和工艺过程中，晶格生长工艺的改进激发了一种新的趋势，提出并实现了一种用ＩｎＰ做有源层的新型器件结构。这篇文章主要描述了这样一种ＩｎＰ基Ｈ     

S波段大功率、高效率GaN HEMT器件研究

基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗。使用多节λ/4阻抗变换线设计了宽带Wilkinson功率分配/合成器,对原理图进行仿真,优化匹配网络的S参数,对生成版图进行电磁场仿真,通过LC T型网络提升管芯输入输出阻抗。采用内匹配技术,成功研制出铜-钼-铜结构热沉封装的四胞内匹配GaN HEMT。在频率为2.7～3.5 GHz、脉宽为3 ms、占空比为50%、栅源电压Vgs为-3 V和漏源电压Vds为28 V下测试器件,得到最大输出功率Pout大于100 W(50 dBm),PAE大于47%,功率增益大于13 dB。     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.     

TN油田加密调整效果及影响因素研究

针对TN油田砂体发育规模小、井距大,仅依靠注采系统调整无法有效改善目前动用状况的情况,以精细地质解剖为基础,以多学科油藏研究为手段,对TN油田进行了局部井网加密调整开发.本文对2012年底部署的加密井生产效果进行分析对比,通过动静态结合的方法,对加密区的新井的生产特征进行了分析,阐述了影响加密区新井生产效果的因素,为后续开发调整积累经验.     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz 单片压控振荡器的设计、制作和性能. 该芯片采用PHEMT工艺制作，电路基于负阻匹配共源网络结构设计. 根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数，提取出该器件的Modified-Materka FET模型参数，变容二极管由共源-漏晶体管来完成，并通过栅压来控制其容值. 测试该电路振荡频率为30.12GHz，输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz. 振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.